PN结正向特性以及其AD590的研究(只读).docVIP

PN结正向特性的研究和应用 PN结作为最基本的核心半导体器件，得到了广泛的应用，构成了整个半导体产业的基础。在常见的电路中，可作为整流管、稳压管；在传感器方面，可以作为温度传感器、光敏二极管等等。所以，研究和掌握PN结的特性具有非常重要的意义。 单向导电性是PN结最基本的特性。本实验通过测量正向电流和正向压降的关系，研究PN结的正向特性：由可调微电流源输出一个稳定的正向电流，测量不同温度下的PN结正向电压值，以此来分析PN结正向压降的温度特性。通过这个实验可以测量出波尔兹曼常数，估算半导体材料的禁带宽度，以及估算通常难以直接测量的极微小的PN结反向饱和电流；学习到很多半导体物理的知识，掌握PN结温度传感器的原理。 【实验目的】 在恒定温度条件下，测量正向电压随正向电流的变化关系，绘制伏安特性曲线。 在恒定电流条件下，测绘PN结正向压降随温度的变化曲线，确定其灵敏度，估算被测PN结材料的禁带宽度。 学习指数函数的曲线回归的方法，并计算出波尔兹曼常数，估算反向饱和电流。 探究：用给定的PN结测量未知温度。 【实验原理】 （一）PN结的正向特性 理想PN结的正向电流IF和压降VF存在如下近似关系（参考附录一）： （1） 其中q为电子电荷；k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；Is为反向饱和电流，它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数，可以证明： （2） （注：（1），（2）式推导参考 刘恩科 半导体物理学第六章第二节） 其中C是与结面积、掺质浓度等有关的常数：r也是常数；Vg(0)为绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。 将（2）式代入（1）式，两边取对数可得： （3） 其中 这就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是PN结温度传感器的基本方程。令IF=常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（3）中，除线性项V1外还包含非线性项Vn1项所引起的线性误差。 设温度由T1变为T时，正向电压由VF1变为VF，由（3）式可得： （4） 按理想的线性温度影响，VF应取如下形式： （5） 等于T1温度时的值。 由（4）式可得： （6） 所以 （7） 由理想线性温度响应（7）式和实际响应（4）式相比较，可得实际响应对线性的理论偏差为： （8） 设T1=300°k，T=310°k，取r=3.4，由（8）式可得?=0.048mV，而相应的VF的改变量约20mV，相比之下误差甚小。不过当温度变化范围增大时，VF温度响应的非线性误差将有所递增，这主要由于r因子所致。 综上所述，在恒定小电流条件下，PN结的VF对T的依赖关系主要取决于线性项V1，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的理论依据。 （二）求PN结温度传感器的灵敏度，测量禁带宽度 由前所述，我们可以得到一个测量PN结的正向压降VF与热力学温度T关系的近似式： (9) 式中S(mV/℃)为PN结温度传感器灵敏度。 用实验的方法测出VF~T变化关系曲线，其斜率即为灵敏度S。在求的S后，根据式（9）可知： （10） 从而可以求出温度0K时半导体材料的近似禁带宽度。硅材料的约为1.21eV。 必须指出，上述结论仅适用于杂质全部电离、本征激发可以忽略的温度区间(对于通常的硅二极管来说，温度范围约-50℃—150℃)。如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小或本征载流子迅速增加；VF—T关系将产生新的非线性，这一现象说明VF—T的特性还随PN结的材料而异，对于宽带材料（如GaAs，Eg为1.43eV）的PN结，其高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能小（如InSb）的PN结，则低温端的线性范围宽。对于给定的PN结，即使在杂质导电和非本征激发温度范围内，其线性度亦随温度的高低而有所不同，这是非线性项Vn1引起的，由Vn1对T的二阶导数可知，的变化与T成反比，所以VF—T的线性度在高温端优于低温端，这是PN结温度传感器的普遍规律。此外，由（4）式可知，减小IF，可以改善线性度，但并不能从根本上解决问题，目前行之有效的方法大致有两种： 1、对管的两个PN结（将三极管的基极与集电极短路与发射极组成一个PN结），分别在不同电流IF1，IF2下工作，由此获得两者电压之差（VF1- VF2）与温度成线性函数关系，即