Ⅲ-V族双极型发光晶体管研究.pdfVIP

第十届全国MOCVD学术会议论文集 03-010 III—V族双极型发光晶体管研究 郭志友张建中尉然 (华南师范大学光电子材料与技术研究所．广州 510631) (：l=guozy@scnu．edu．CB) 摘要：发光晶体管是一种新型的半导体发光器件。文中阐明了一种双极型发光晶体管的发光原理， 对该类器件在材料、结构、性能等方面的研究作了总结，对其应用进行了介绍。 关键词：双极型发光晶体管、突变同型异质结、基区 1、引言 微电子学的一个重要研究方向是发展新型器件，以一个或几个器件完成通常多个晶体管组合才 能具有的逻辑功能。因此如果有器件能够在二极管的基础上增加一个电极，利用增加的第三个电极， 控制器件的发光强度，制作出的这种具有晶体管结构的发光器件是一件值得关注的事情。 目前，半导体发光晶体管的技术，尚处于初始研究阶段。主要方法有：一种是按照传统晶体管 原理制造的NPN型发光晶体管器件，既利用器件的P型掺杂区发光，同时又作为基区进行控制，但 是，由于基区很薄，绝大部分电子没有及时与基区中的空穴复合发光，而是直接穿过基区到达了13 型掺杂集电区，大部分电子用来放大基区电流，只有少数电子参与发光，发光效率不高。另一种是 实空间转移发光晶体管，是通过源极和漏极之问加正向电压时，电子在源极和漏极被加速到～定的 能量后，就可以通过实空间转移效应，进入有源区，与栅极注入到有源区的空穴复合发光，但是， 由于实空间转移效应的电子注入效率非常低，因此这种发光晶体管的发光效率也非常低。 本文阐述了双极型发光晶体管的结构和原理，具有较高的发光效率。 2、双极型发光晶体管 P PGaN集ln极 有源I是 N n—lnGaN龌区 N n+GaN发射区 GaN缓冲层 蓝宝石衬底 图1双极型发光晶体管结构图 层，n一型窄带隙的InGaN层，继续生长多量子阱有源发光层和P型空穴发射层，得到发光晶体管的 外延片。在利用外延方法生长外延片完成后，再利用半导体平面工艺技术，形成发射区电极、基区 电极和集电区电极，得到图1所示带有控制端的发光晶体管。 双极型发光晶体管是在高亮度发光二极管的基础上，通过没计增加一个基区来形成的。晶体管 的基本结构包含两端的P型集电区和n型电子发射区，它们分别各自独立将空穴和电子注入多量子 阱有源发光区；中问包含多量子阱有源发光区用于电子和空穴在多量子阱中复合发光；基区控制区 用于控制发光强度。当基区电压为OV时，发射区只有部分电子穿过发射区势垒，进入基区中。基区 势垒较高，大部分电子不能够通过热电子发射或扩散越过基区势垒；从而不能到达有源发光区与空 穴复合，此时发光三极管不发光。当基区量子为正向偏压时，发射区势垒降低，大部分电子从发射 极注入到基区。基区势垒也降低，电子有充足的能量越过基区量子阱势垒，并穿过基区到达多量子 阱有源发光区，即发光晶体管发光，基极起到了控制电子的作用。 第十届全幽MOCVD学术会议论文集 由于发光晶体管的有源区采用多量子阱结构，并且是在发光二极管基础上改进的，因此相对传统 NPN型晶体管和实空间转移晶体管有着较高的发光效率。 3、应用 由于 具有良好 前的发光 此发光晶发的二体 光控极管 晶制管在 体作，光 管用具电 是，有子 在可广集 成以阔成 熟用的电 的于前路 U控景的m制。光 技作此源 术用外， 上的发光 改新光电 进型晶互 而发体连 来光管， 的晶可光 ，体以子 具管制信 有在作息 U照成传m明较输 高控小等 亮制尺光 度、寸电 、显集器 污示成件 染屏在中 少等微具 的方电有 特面子广 点可电阔 ，以路的 同替中潜 时代，在 又当因应 用价值。 乱 ；黼 ，发，|砭 用晶