表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响.pdfVIP

维普资讯 第 57卷 第 2期 2008年2月 物 理 学 报 Vo1．57，No．2，February，2008 1000．3290／20o8／57(O2)／1220．04 AC A PHYSICA SINICA ⑥2008Chin．Phys．Soc． 表面 InGaN厚度对 GaN基发光二极管特性的影响* 顾晓玲 郭 霞 吴 迪 李一博 沈光地 (北京工业大学，北京市光电子技术实验室 ，北京 100022) (2007年4月 10目收到 ；2007年6月 1813收到修改稿) 通过调整 GaN基发光二极管(LED)表面 InGaN层 的厚度 ，发现在 20mA电流驱动下，LED器件的正 向压 降有明 显差距 ．本文考虑 了极化效应 的影响，通过求解 InGaN／GaN三角形势阱内二维空穴气浓度 以及空穴隧穿概率 的变 化 ，求得 了表