过电流状态下铜导体特征的AES研究.pdfVIP

第十二届全国高校金相与显微分析学术年会论文 过电流状态下铜导体特征的AES研究 刘术军，邸曼，于丽丽，赵长征，高伟 (公安部沈阳消防研究所火场勘验与物证鉴定公安部重点实验室，辽宁沈阳110034) 摘要。利用俄歇电子能谱仪(AES)对不同时间过电流下的铜导体进行了深度刻蚀，结果表明在不同时间过电流下 的铜导体样品表面都含有Cu、0、C、N、C1等元素，且随着刻蚀时间的增加，样品中C、0原子百分比值逐渐降 低，且过电流时间越长的样品，C、0原子百分比曲线下降的越平缓：以溅射时间为0s和30s时的原子百分比值之 差来表示曲线的斜率，C、0原子百分比曲线的斜率都逐渐减小：在同一深度下，不同过电流时间样品所含原子的 分布规律相同，即c96)0％CI％。 关键词，过电流；俄歇电子能谱；深度刻蚀：铜导体 in onthecharacteristicsof conductorOver-current Study copper condition electron Auger spectroscopy by L／U Wei Shu-jun，DIMan，地厶．；f，ZHA0Chang-zheng，GA0 Research forfirescene andevidence ofPublic Fire (Keylaboratory investigation identification，MinistrySecurityShenyang ofPublic Institution，MinistrySecurity,110034，China) Abstract：Thecharacteristicsof conductorindifferenttimeOver-currentwasetchedAES．The copper by showthatthesurface conductorindifferenttimeover-currentcontainsCu，O，C results of copper samples withthe ofetch the of time， N，C1element,etc，and C，O(at％)decreasedgraduallyincreasing percentage time declinedmore the curveof the over-current C，O(at％)in sample gentle；theslope percentage longer tO ofcurveof withthe of timefor(Isand30s C，0(at％)we陀decreasedgradually margiIlsputtering