基于ARM的引导加载技术的研究与实现.pdfVIP

维普资讯 第 18卷．第 7期 计 算 机 技术 与发 展 vo1．18 No．7 2008年7月 COMPUTERTECHNOLOGYANDDEVELOPMENT Ju1． 2008 基于ARM 的引导加载技术的研究与实现 胡金霞，傅秀芬，许素霞，朱朝晖 (广东工业大学计算机学院，广东广州 510090) 摘 要：为了减小嵌入式系统的体积和价格，对嵌入式中两种主要的闪存：NORFlashandNANDFlash进行了研究。由于 NORFlash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点，根据嵌入式系统可裁减可移植的特点，在对ARM处理器 的启动方式进行分析和比较的基础上，裁掉NORFlash芯片，仅用NANDFlash芯片引导和启动系统。并着重阐述了采用 有效的存储结构提供可靠的坏块管理机制，采用多级引导方式，实现基于NANDFlash的引导。从而节省NORFlash芯 片，降低了成本。 关键词：或非型闪存；与非型闪存；引导加载程序；坏块管理；多级引导 中图分类号：1]P333 文献标识码：A 文章编号：1673—629X(2008)07—0035—03 ResearchandImplementationofBootLoaderBasedonARM HU Jin．xia，FUXiu．fen，XU Su-xia，ZHUZhao-hui (DepartmentofComputer，GuangdongUniversityofTechnology，Guangzhou510090，Claim) Abstract：Inordertoreducethe0ostoIanembeddedsystern．hasstudiedthetwomainflashmerr~rles：N0RFlashandNAND Flash． N0RF1ashhas8omelimitation：e．g．complexlayout，highoost，smallcapacityandloweraccessingspede ete，∞ tryto 戗。0 these problems．First，comparenadanalyzetx~oting modebasedOnARM CPUofembeddedsystem，thentrytocuttheNORFlaSh出 pnad justbootsystme fromNANDRash．Finally，proposeareliablemechani~nofbadblockman~me entnadaFleW techniqueofloadingstep bystepforbootingsystme fromNAND Flash．ThereforecanremoveN0RFlaShchipna d o3st． Keywords：NORflash；NANDflash；tx~otloader；badblocksmanagmeent；booting stepbystep O 引 言 片内部运行。客观来看 ，二者各有优势和不足：NOR 随着技术的发展 ，消费电子产品正向数字化、网络 的工作电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高；NAND 化方向发展，嵌入式技术和其他电子技术紧密结合 ，渗 写速度快、芯片面积小、存储容量大、价格便宜。由于 入到各种消费电子产品中，使产品的功能和性能都大 NORFlash可以直接寻址，目前大多数嵌入式设备存 大提高。手机的发展是嵌入式技术和其他技术相结合 储结构采用 NORFlash+NANDFlash结构 ，用NOR 并获得成功应用的良好范例。存储器用来存放计算机 Flash存放引导程序，NANDFlash存储数据。文中将 工作所必需的数据和程序 ，嵌入式微处理