离子注入ZnO薄膜形成ZnO%3aLi的铁电性的研究.pdfVIP

中国核科学技术进展报告（第一卷） 粒子加速器分卷 Progress Report on China Nuclear Science Technology （Vol.1 ） 2009 年11 月 离子注入ZnO 薄膜形成ZnO:Li 的铁电性研究 邴丽娜，邹长伟，黎 明，何 俊，刘传胜，付德君 （武汉大学物理学院加速器实验室及声光材料与器件教育部重点实验室武汉 430072 ） 16 -2 o 摘要：在ZnO 薄膜中注入能量为50~200keV、剂量为5×10 cm 的Li 离子，并在400~700 C 进行快速热退火处理， 形成ZnO:Li 铁电层。电极化测试观测到明显的电滞回线现象，注入能量为200kV 的样品在室温条件下的饱和极化强 度为0.8µC/cm2 ，矫顽电场强度为8.2kV/cm，并在340~360K 之间观测到电介质的相转变信号。铁电性可能来自于ZnO 中锌离子和掺杂元素Li 的离子半径不同而引起的偶极子位移，并与大剂量Li 离子注入所引起结构畸变有关。 关键词：ZnO:Li ；离子注入；铁电性 ZnO是一种宽禁带半导体，室温下直接能隙为3.37eV，激子结合能为60 meV [1] 。最近研究发现， Li掺杂的ZnO具有铁电性 [2] ，在其它II–VI化合物如CdZnS、CdZnSe和CdZnTe 中发现了类似的铁电行 为[3] 。此类材料的铁电行为的解释是，当掺杂离子的离子半径小于受主离子时，会占据非中心的位 置而形成局部的电偶极子。在PbGeTe和CdZnTe 中，基体材料的离子和掺杂离子的半径分别相差 0.047nm和0.020nm 。Li离子和Zn离子半径的差异为0.014nm，在Li掺杂的ZnO薄膜的铁电行为中起重 要作用。另一方面，由Li 掺杂引起的受主补偿导致半导体薄膜电阻率上升，这也对铁电性有贡献[4] 。 事实上，在Li 掺杂 ZnO 的两种结构中都发现了离位离子极化所引起的自发极化[5-6] 。本工作用离子 注入方法制备了ZnO:Li ，对其结构及铁电性质进行了研究，观察到电滞回线，对变温铁电测试进行 了分析。 1 实验条件 ZnO:Li样品用Li离子注入制备，ZnO薄膜由脉冲激光沉积方法制备，厚度为1.5µm，导电型号为 n型，霍尔电子密度为6×1015 -3 2 -1 -1 16 -2 cm ，迁移率为90cm V s 。Li 离子注入的剂量为5×10 cm ，注入的能 量分别为 50 、100、200 keV ，TRIM 计算得到Li离子能量为50、100、200 keV 的其注入深度分别为 200 、400 、700nm，纵向岐离为111、163、211 nm 。样品在氧气氛400 、550、700℃ 快速退火30 s 。 用XRD和AFM对薄膜的结构进行了检测。用RM-1000型拉曼光谱仪检测样品的化学键结构，用 Ar激光，工作波长为514.53 nm 。直流电导率通过四探针来测量，电极化- 电压（P-V ）曲线是用 Sawyer–Towerd方法测得。P-V测试前，先在样品上蒸发Au 电极，厚度 30nm ，直径300µm 。介电常 数由LCR 测试仪测得。 作者简介：邴丽娜（1984—），女，黑龙江省七台河市人，硕士学位，凝聚态物理专业 基金项目: 国家自然科学基金资助项目10875090) 106 2 结果与分析 图1(a)为不同能量离子注入的样品的XRD谱，所有薄膜的取向均为ZnO （002 ），观察到的衍射峰 都符合六角纤锌矿结构。通过Scherrer公式计算得到薄膜的晶粒尺寸为100~300nm。图1(b)是注入能 量为200 keV 的ZnO薄膜在不同退火温度下（002 ）峰的放大图。离子注入后样品的峰强变弱，峰位 向低角度移动，说明结构无序度增加并且晶格常数变大。晶格常数随着退火温度的增大而减小，说 明通过退火样品结晶度有所恢复。图1(c)为在700oC 。退火温度下不同能量注入样品的（002 ）峰。可 见2θ随着注入能量的增强而增大。由Bragg理论可