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2017-08-22 发布于山西
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4.3 电荷耦合器件

4.3 电荷耦合器件 4.3 电荷耦合器件在MOS （Metal Oxide Semiconductor ）电容金属电极上，加以脉冲电压，排斥掉半导体衬底内的多数载流子，形成“势阱” 的运动，进而达到信号电荷（少数载流子）的转移。图像传感器：转移的信号电荷是由光像照射产生；若所转移的电荷通过外界诸多方式得到，则其可以具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功能。返回上一页下一页 4.3 电荷耦合器件 4.3 电荷耦合器件 4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理 4.3.2 CCD图像传感器 4.3.3 图像传感器的应用返回上一页下一页 4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理 4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理 CCD是一种半导体器件图4.3.1 MOS 电容的结构 1．金属 2 ．绝缘层SiO2 返回上一页下一页有信号电荷的势阱有信号电荷的势阱当MOS 电容器栅压大于开启电压UG ，周围电子迅速地聚集到电极下的半导体表面处，形成对于电子的势阱。势阱：深耗尽条件下的表面势。势阱填满：电子在半导体表面堆积后使平面势下降。返回上一页下一页信号电荷转移信号电荷转移 CCD的基本功能是存储与转移信息电荷为实现信号电荷的转换： 1、必须使MOS 电容阵列的排列足够紧密，以致相邻MOS 电容的势阱相互沟通，即相互耦合。 2、控制相邻MOC 电容栅极电压高低来调节势阱深浅，使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处。3 、在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。返回上一页下一页定向转移的实现定向转移的实现在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS 电荷为一单元的无限循环结构。每一单元称为一位，将每— 位中对应位置上的电容栅极分别连到各自共同电极上，此共同电极称相线。一位CCD中含的电容个数即为CCD的相数。每相电极连接的电容个数一般来说即为CCD的位数。通常CCD有二相、三相、四相等几种结构，它们所施加的时钟脉冲也分别为二相、三相、四相。当这种时序脉冲加到CCD的无限循环结构上时，将实现信号电荷的定向转移。返回上一页下一页相三 C C D 图理原输传荷电息信返回上一页下一页 CCD 电荷的产生方式： CCD 电荷的产生方式：电压信号注入电压信号注入 CCD在用作信号处理或存储器件时，电荷输入采用电注入。CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，将信号电压或电流转换为信号电荷。光信号注入光信号注入 CCD在用作图像传感时，信号电荷由光生载流子得到，即光注入。电极下收集的电荷大小取决于照射光的强度和照射时间。返回上一页下一页 CCD的信号输出结构 (a)