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电力电子技术—晶闸管 Power Electronics 晶闸管----引言 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier SCR） 1956年美国贝尔实验室（Bell Laboratories）发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司（General Electric Company）开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化(16A/300V)。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。 晶闸管(Thyrister) 功率等级: 几KA/几 KV 新品种: 快速,双向,逆导,可关断,光激发 特点:体小,轻重,效率高,反应快,高压大容量, 弱电控制强电(几十毫安控制几百几千安) 应用:整流,逆变(尤其在大功率场合)， 第一节 晶闸管的结构和工作原理 一．晶闸管的结构 符号：阳极A，阴极K，门极G（控制极） 第一节 晶闸管的结构和工作原理 螺栓形： 螺栓—阳极A， 粗引线– 阴极K 细引线---门极G 特点： 安装方便 第一节 晶闸管的结构和工作原理 平板形： 两面分别为阳极A和阴极K 中间引出线---门极G 特点： 散热效果好，容量大 一．晶闸管的结构 晶闸管的内部管芯结构: 基本材料:硅单晶体 四层三端器件 (P1 N1 P2 N2） 钼片：导电材料，用于减小/缓冲相邻两种材料的热膨胀系数的差别，以保证在各种温度下接触可靠 二．晶闸管导通关断条件 结论： 1 导通条件：Uak0 AND Ugk0 (ig 0适当值) 2 关断条件： I a减小至维持电流以下。 U ak减小到零或加反压来达到 3 一旦导通，门极失去控制，故可用脉冲信号 晶闸管的导通判断条件 ！ 晶闸管正常工作时的特性总结如下（P7)： 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 三．晶闸管的工作原理 从从内部结构分析单向导通的工作原理内部结构分析单向导通的工作原理 四层三端器件（P1 N1 P2 N2） 三个三个PNPN结结J1,J2,J3:J1,J2,J3: UAKAK0时， J1,J3正偏 ,J2反偏 （正向阻断状态） UAKAK0时， J1,J3反偏 ,J2正偏 （反向阻断状态） 晶闸管内部管芯结构图 三极管知识回顾 三极管电气符号三极管电气符号 三极管的三个电极：发射极、集电极、基极三极管的三个电极：发射极、集电极、基极 共基极电路 共基极电流放大倍数： 发射区注入电子传输到集电结所占的百分比是一定的，这个百分比用这个百分比用α表示，称为共基极电流放大系数： 晶闸管的结构与工作原理 按晶体管的工作原理，得： 晶闸管的工作原理 在低发射极电流下α是很小的，而当发射极电流建立起来之后,α迅速增大。 晶闸管的结构与工作原理 在低发射极电流下α是很小的，而当发射极电流建立起来之后，α迅速增大。 阻断状态：Ig=0，α1+α2很小。流过晶闸管的电流近似为J2结反向漏电流。 开通状态 ： 注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致α1+α2趋近于1的话， Ia会急剧上升，晶闸管由正阻断状态转为正向导道状态，电流大小仅处决于外部主回路 第二节 晶闸管的特性和主要参数 晶闸管的伏安特性 第I象限的是正向特性 第III象限的是反向特性 晶闸管的基本特性 (1)正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。(雪崩击穿/非正常导道) 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 晶闸管的特性和主要参数 晶闸管的 伏安特性 一.正向伏安特性： Ig=0时：UBO---正向转折电压雪崩击穿导通 Ig↑ 时：较小的UAK即可导通 导通压降小 IAIH时关断 晶闸管的基本特性 （2）反向特性 反向特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 第三节 双向晶闸管及其他派生晶闸管 一、双向晶闸管 1.双向晶闸管的外形与结构 双向晶闸管的外形与普通晶闸管类似，有塑封式、螺栓式和平板式。但其内部是一种NPNPN五层结构引出三个端线的器件。如图1-7所示。 1.双向晶闸管的外形与结构 2.双向晶闸管的