基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型.pdfVIP

f (O，)==： I(O， ) 为 一 一 ln 肭 适配参数径 典的 1e 。～差。一一 长沟道阈值 电压定义为V = 2 ，j7取 2，而对超短 式 中，q为 电子 电量 ， 和 对应为硅和氧化层的介 沟道下的阈值电压，由于DIBL效应和短沟效应等 质常 ，t 为氧化层厚度 ，L表示沟道长度 ， 为界面 效应的影响 172，经仿真拟合可以取 ≈ 1．8。 式(8)中的识(O)和 (L)则分别是源端和漏端 电荷。令图1中的栅极电势 —V + ，E 为禁带 电势 ，根据 图1的MOSFET模型坐标有识(O)= 宽度，源极电势 ”==：V，+ ，漏极 电势 出一V + 和织()=V出，W则是器件宽度 ，热电压僻一k—T ， 为载流子迁移率。 ， 、 和 分别为栅源、源极、漏极外加电压， 式 (6)中的 ()如果直接用于求解亚阈值 电 衬底电势 V ：一 ln ， 为本征载流子浓度。 流非常困难 ，因此本文提出采用将 (Y)的求和项 口 在耗尽层 区域，MOSFET在亚阈值区可以忽略 用最佳平方逼近法去逼近 ，设 ： 载流子的影响，这样器件的耗尽层 内只有 固定离化 ∑amsinm丁rcy—P。+PlY+PzY (10) 电荷 。令 0～d的区域为 Ⅱ区，引入矩形等效源，得 定义函数 ： 到耗尽层 区域 妒。(z，)的定解问题是 ： ．f{a2。十．a2。===q百NA 厂(j，)一P。+PlY+P2yz一∑a,．sin 0≤ ≤ d (3) (11) 【一I：o= ，·l = 并对 厂()的平方项f()作积分，得到： 在耗尽层底部有电势能极值点，满足条件： J—o (4) — (Po+PiY sin 根据文献 [8]提出的半解析法求解式 (1)～ (12) (4)，得到超短沟道下的二维电势解析模型为： 将 分别对P。、P 和P。求导，并使求导结果为 (，j，)= + Bo(z+ toz) 零 ，可以得到方程组 ： ． ， mr(x+ ￡) + ∞ sm h —————— ———=_． +鲁 譬 耋 [1_(_1)] — — 一 c。s (5) 一 1 coshgf．#L~OX 一 (z，)= + ( 一 )Y — qNAy(L— {lpo+鲁斛 一薹c - z 【Po+L+等 吉 [-(1) 一] )+ (口c0shnTTgx+sh警)sin (6