超晶格微制冷器物理模型分析.pdfVIP

维普资讯 第 11卷 第3期 扬 州 职 业 大 学 学 报 V01．11 No．3 2007年 9月 JournalOfYangzhou PolytechnicCollege Sept．2007 超晶格微制冷器物理模型分析 冯 晋 ，陈云飞2，许晓宁 (1．扬州职业大学 ，江苏 扬州 225009；2．东南大学，江苏 南京 210096) 摘 要：对 InGaAsP／InGaAs组成的超晶格，基底为 ImP的固体微制冷器进行了初步研究，发现热电和热 电子转换同时存在于超晶格微制冷器中。提 出了简化后的物理模型，具体分析了影响热电转换效率的热阻和 电阻、制冷影响因素和误差等因素，计算结果与实际器件接近。 关键词 ：超 晶格 ；热 电；热 电子 ；微 制冷器 中图分类号：TB61 文献标识码：A 文章编号：1008—3693(2007)03—0030—04 AnalysisofthePhysicalM odelforSuperlatticeM icrocooler FENGJin ，CHENYun-fei，XUXiao-ning (1．YangzhouPolytechnicCollgee，Yangzhou225009，China；2．SoutheastUniversity，Naniing210096，China) Abstract：Thesuperlatticemicro-cooleriscapableofthepotentialthermoelectricconversionofhighefficien— cy，whichhasattractedmuchattentionofresearchers．ThispapermakesapreliminaryresearchintotheIn· GaAsP／InGaAssuperlatticecoolerwhosesubstrateiSInP．findingthatboththemr oeletricandthemr ionic conversionoccoursinsuperlatticemicro-cooler．Thispaperpresentsthesimplifiedphysicalmodelandana— lyzesthefactorsofthemr alresistanceandelectricresistanceinfluencingtheefficiencyofthemr oelectriccon． version．Thecalculatingresultsocrrespondwiththeexperimentalresults，whichprovides thebasisofanaly— sistooptimizethemicro-cooler． Keywords：superlattice；themr oeletricity；themr oelectron；microcooler 目前，微处理器芯片的热源密度已经高达5× 在不降低电导率的情况下提高热阻，从而提高器件 105W／mz左右，温升问题成为制约半导体技术发展 的热电品质指数 -3J。此外，影响制冷器制冷效果 的主要障碍之一[。采用固体热电／热电子制冷器 的因素还有制冷器及基底的厚度和面积、电流大 是解决这一问题的有效途径之一。它的最大优点是 jibe3]。本文对 InGaAsP／InGaAs组成的超 晶格，基底 没有移动部件，可以和半导体器件集成在一起，工作 为InP的热电／热电子制冷器进行探讨，通过建立物 性能十分可靠。但工作效率低下。L22-随着材料制备 理模型分析影响制冷的主要因素。 技术的发展，特别是分子束外延法(MBE)和有机金