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量子电子器件—谐振隧道热电子晶体管（RHET）.pdf
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r 201
量子 电子器件～谐振隧道
热电子晶体管(RHET)
张 汉 三
— — — — ～
，
(电子都第 13研究所 ．石家庄 ．050051)
摘要 RHET是一种新型高速功能器件，在这种器件中，电子昔振隧穿量 子
阱谐振 隧道 势垒 (RTB)从发射扳注八到基扳 中，然后取准弹道 方式传将到
收集枉。其主要特 点是 ，高速 的电荷传输和宽的 自般分 电阻 。拳文综述 7
RHET的矸完与进展，并介绍 T采用RHET构成 的榘成电路。
主置蔼 量子电子学}量子阱；谐振隧道效应 l电占 伟苇
— — — — ～
一
， —
OUantum ElectronDevices：
ResonantTunneling HotElectron Transistor
Zhang Hansan
(The l3tL Institate，Ministfr of MEI，Shijiazhaang．05005I)
ABSTRACT RHET is a new type of high speed funCtlonaI
device．in hich electron are injected fr01171 emitter tobase
by resonant tunneling through a quantum well resonant
tun：e!ing barrier (RTB) and then quasiballistical1y transfer-
red to collector．The main feature of this device ishigh
speed charge transport and broad regions of negative aif-
ferentim resistunte．In this Paper， the researCh and advanCes
on RHET are introduced，and ICs asiag RHETsarePresen—
ted．
SUBIECT WORDS Quantum electronics}Quantum ~re!lI
Resonant tunnelling effect
收稿 日期；1992-o4-24
7
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1 引言 另一篇文章 11里已有较为详细的论述 ，故这
l980年 ， 日本富士通的横山等人首先采 里不再赘述 。本文主要综述近几年来RHET的
用GaAs／A1GaAs异 质 结构研制成功了第一 研究与进展。
个热电子晶体管 (HET)，并测得了其热电子 2 GaAs基RHET
谱 。在这种器件中，电子 以隧道穿通方式通过 1985年报道 的第一个RHET是采用 GaAs
发射极一基极势垒注入到基极中 ，成为具有高 衬底制成的，其RTB由AlGaAs／GaAs量子
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