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低温与超导 超导技术 Cryo． Supercond 第36卷 第 1O期 Superconductivity Vo1．36 No．10 超导 HEB的 I—V特性模拟 范翠，金飚兵，康琳，许伟伟，陈健，吴培亨 (南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所，210093) 摘要：超导热电子测热辐射仪(SuperconductingHot—electronBolometer，HEB)是一种检测器件，可以对 ITHz 以上的电磁辐射进行高灵敏度的检测。该工作是利用双温模型，假设电子和声子各 自处在平衡态 ，但具有不同的 温度，根据热平衡原理，计算出电子和声子温度在HEB桥上的分布，得到桥两端的电压值，从而得出器件的I—V特 性。分析了实验环境温度，转变宽度和薄膜厚度对器件I—V的要求 ，并与实验测量的结果相比较，为进一步研究 超导HEB的混频特性打下基础。 关键词：超导热电子测热辐射仪 (HEB)；双温模型；I—V特性 ；太赫兹检测 I．．V characteristicofphonon．．cooledhot．—electrOilbolometer FanCui，JinBiaobing，KangLin ，XuWeiwei，ChenJian ，WuPeiheng (ResearchInstituteofSuperconductorElectronics，NanjingUniversity，Nanjing210093，China) Abstract：Asuperconductinghot—electronbolometer(HEB)isahighsensitivitydevicefortheelectromagneticradiation above1THz．Inthispaper，usinghtedualtemperaturemodelinwhichtheelectronandphononwere assumedinequihbrium stateindependently，theauthors couldgetasetof coupledequationsdescribingthespatialprofileof thee~etronandthephonon temperaturealongthebridge．Thecurrent—voltage(I—V)characteristiceotddbecalculatedbysolvingtheequations．Thean— thorsnaalyzedtheinfluencesoftheambienttemperatureof thedevice，htetransitionwidthandhtethicknessofhtesuperconduet- ingbridgeon theI—V cu~es．andthen comparedthem witIIthemedusaresults． Keywords：HEB，Dualtemperature model，I—V characteristic，THzdetection l 引言 低噪声的途径。 本文对超导 HEB混频器的，一 特性进行了 太赫兹 (Terahertz，THz)混频器是 THz探测 较深入的研究：给出了电子声子温度在HEB微桥 器技术中的一个重要部分 。目前存在的太赫兹混 上的分布模式，由此得到模拟的 ，一 曲线，分析 频器有 肖特基二极管混频器、超导SIS结混频器 了各个参数对 ，一 曲线的影响。 和超导热电子热辐射混频器(Superc0nductingHot — electronBolometer(HEB)mixer)o 肖特基二极 2 物理模型描述 管混频器工作于很宽的频率范围，不需要低温，但 它需要较大的本征功率，且灵敏度较低。超导SIS