掺氟石英光纤的抗辐射特性.pdfVIP

维普资讯 m 四川通信技术 · 译文 赫蓊 7 掺氟石英光纤的抗辐射特性 唇 啦 … 等 1．韵 言 径为250 m的s1型纯石英芯光纤 。母材用 关于石英光纤抗辐射特性的研究在十几 直接法或用VAD法制造芯子，其外用PCVD 年前就开始了，目前仍在不断进行。截止到 目 法制作包层。用直接法、VAD法和PCVD法 前，纯石英光纤表现出了最 良好的抗辐射特 加工成盘状样品母材。直接法是用氢氧焰直 性，由于OH根、cl等的含量，使抗辐射特性 接合成石英的方法 该方法适合制造 OH根 发生了很大变化 含量较多的纯石英母材 掺氟母材是用VAD 在芯子中掺人数百ppm 的OH根，光纤 法和PCVD法制作 。VAD法是在改进 的炉子 的抗辐射特性就会提高，可是掺杂有OH根 中，在氟化合物环境中进行烧结而制成掺氟 的光纤，在 0．945m，1．385 m处具有特有 母材。PCVD法则是在主要原料SiOz中掺入 的吸收峰，所以，不适用于远距离、长波长的 氟化合物，再导入等离子火焰而制成掺氟母 传输 另外，在掺GeOz的石英芯光纤中，掺入 材 含F浓度高的母材不能用PCVD法制造， cl数十个ppm，可使抗辐射特性提高，但掺杂 故 F含量 4．0 的母材可用 PCVD法 ，含 F 过量，抗辐射特性却会变坏。对于纯石英 巷光 浓度较低的在 0．8％和 1．6 的母材用 VAD 纤，芯中含有 cl反而会使抗辐射特性变坏。 法制造 。 我们以开发能在大范围的长波长波段使用并 表 l 试验光纤参数 具有良好抗辐射特性的光纤为 目的 对用其 光 光圩熬组成 言氟量( ) △n oH根 纤 芯子 包层 芯子 包层 ( ) 古有量 他掺杂物替代 OH根或cl进行了研究，通过 (×10一 ‘ Sjo= SjO_-一F 一 ．0 1．1 800 掺F使纯石英芯光纤的抗辐射特性得到了提 Sio±一F SiO2一F 1．6 5 6 1．1 一 高 另外，对于掺F光纤，在氢环境中进行高 SIO：．一F sjO!一F 2．a 5 6 O．7 一 温处理，可进一步改善光纤的抗辐射特性。本 表 2 试验样盘参数 文首先对掺氟光纤和母材的抗辐射特性进行 序号 组 成 吉氟量 (％) 制造方法 阐述，之后再介绍有关光纤经氢高温处理的 1 SiO_： 0 直接法 实验结果。 2 sjO_-一F 0 a 2．掺氟光纤的抗辐射特性 3 sj0n—F 1．6