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摘要
摘要
巨磁阻抗效应因体积小、灵敏度高、性价比高等优点而成为近年研究热点之
一。交换偏置是可以在零磁场附近产生非对称性巨磁阻抗效应方法之一,而且无
其他能量损耗,将交换偏置作用应用到GMI效应中,将可能制备出白偏置线性
磁场传感器。目前类似研究集中在平面薄膜系统,本文利用磁控溅射方法制备了
性能和GMI效应的影响。本文的主要研究内容和结果如下:
1.实验条件对复合结构丝磁性能的影响,主要包括以下四个方面:
现随着基底转速增大,复合结构丝的软磁性能变好,最大磁阻抗变化值有所增大。
复合结构丝的阻抗变化比较大。
丝。研究发现间隔时间较小时,磁阻抗变化较小,这主要和反铁磁层对铁磁层的
影响有关。
磁阻抗变化进行重复测量,发现当反铁磁层对铁磁层的影响比较小时,重复测量
磁阻抗变化差别不明显,而当铁磁层受反铁磁层的影响较大时,两次测量的磁阻
抗变化差别较大。
2.利用磁控溅射方法制备了含反铁磁层FesoMnso的三种结构的复合结构丝,
对其磁性能和GMI效应进行了研究,结果表明:
的增加而减小,这是由于外层的反铁磁层改变了软磁层的磁结构,使得其磁结构
变为以纵向磁结构为主。
增加,先增加后减小,然后又继续增加。这主要是由于当FesoMnso层厚度适当时,
矫顽力会减小,而且具有更加好的环向磁结构,使得磁阻抗效应得到增强。
i
摘要
@)Ni80Fe2d
的增加先增加后减小。这主要是由于适当厚度的FesoMns0层能够提高铁磁层的软
磁性能,使得磁阻抗变化增大。并且在该结构中出现了明显的非对称性巨磁阻抗
效应。
关键词:复合结构丝、反铁磁层、GMI效应
ABSTRACT
The isoneofthehottestresearch
giantmagneto—impedanceeffect(GMa)
inrecent foritssmall and
points years size,ultra-highsensitivityhi曲cost
autobiasedlinearfieldsensorbe with
theuseof
performance.An may produced
biasedMIelements.Duetothe biaseffectcaninduce
exchange exchange asymmetric
GMI noother around
effect(AGMI)with zero
powerconsuming
afewstudieshavefocusedonthiswork thinfilm this
usingplanar systems.Inpaper,
and
FesoMnzo/NisoFe20/Cu,Nis0Fe20/FesoMnso/Cu
wires
were magnetron conditions
composite preparedby spuRering.111eexperimental
and
theinfluenceoft
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