N2、Ar气氛下快速退火处理硅片获得洁净区和氧沉淀的研究.pdfVIP

中国有色金属学会第六届学术年会论文集 Nz、Ar气氛下快速退火处理硅片获得洁净区和氧沉淀的研究 冯家林垤则斌7肖清华皇周旗钢7 (1有研半导体材料股份有限公司100088) (2北京有色金属研究总院100088) Thermal 摘要：本文使用N2、Ar气体作为快速退火(RapidAnnealing)处理气氛，研究气氛对洁净区和氧 沉淀形成的影响。调查表明在N2、Ar两种气氛下，延长恒温时间都可以降低洁净区厚度、增加氧沉淀密度。 但是与Ar气氛相比，Nz气氛更有利于获得较薄的洁净区和高密度的氧沉淀。另外还发现N2气氛中饶比例对 洁净区的形成有显著影响。02比例超过了2％后，硅片内不会有洁净区和氧沉淀的生成，在也比例低于2％ 时，洁净区厚度和氧沉淀密度不受02比例的影响。基于硅片表面氧化导致自间隙原子的注入和氮化导致空 位注入的基本原理，比较了不同RTA气氛下硅片中空位分布，进而解释了气氛对洁净区和氧沉淀形成的影 响。 1．前言 随着集成电路制造工艺的飞速发展，单晶硅片的制造面临着更大的挑战，表现为对硅片表面金属 沾污、表面形貌和几何尺寸等参数提出了愈加严格的要求。附着于硅片表面的金属玷污受热工艺甚至 Oxide 常温下就形成金属硅化物，导致沉积生长的薄栅氧化物厚度不均匀，破坏栅氧化物完整性(Gate for TechnologyRoadmap Integrity)，最终导致器件运行失效n1。ITRS(International semiconductor)对硅片表面金属杂质的浓度限制在小于1×101。atom／cm2曙1。 吸杂技术是一种降低表面金属玷污的有效手段，它是通过在器件工作区之外构建特殊的吸收点将 快速扩散到该处的金属固定住，同时在近表面区域形成一个没有杂质和缺陷的洁净区域，以保障器件 正常工作b¨4¨副。缺陷及其衍生缺陷造成的畸变就是金属的捕获中心。根据吸杂中·571入的位置可以 分为内吸杂和外吸杂伸““。 外吸杂技术是在硅片背面实施背损伤、多晶硅沉积，磷扩散等处理来引入缺陷中心。然而今后五 年就将占据主流的300mm硅片是双面抛光的，外吸杂技术将不再可行，内吸杂技术的研究和改善非常 重要和迫切Ⅲ。 内吸杂是通过在硅片内部形成氧沉淀(OxygenPrecipitates)及其衍生缺陷，同时在硅片表层 Zone)来达到吸杂的目的。传统的内吸杂技术是高一低一高三步退 形成无氧沉淀的洁净区(Denuded budget)较高，受硅片内初始间隙氧浓度限制较大。MDZ技 火技术∞3。这种工艺的热预算(thermal 术为Falster等人提出的是一种新型的内吸杂技术，他们利用快速退火取代传统内吸杂技术的第一步 退火工艺，利用快速退火后形成特殊空位分布，在器件热处理工艺过程中，空位的分布会决定氧沉淀 和洁净区的分布，形成满足内吸杂要求的结构阳唰。该工艺有效地降低了热预算，减少的对硅片内间 隙样浓度的依赖，工艺稳定性好，但工艺的不足之处在于RTA处理温度较高，获得的洁净区较厚。随 后，M．Akatsuka，等人发现Ar气氛下也可以洁净区饽1”。 本文着重研究RTA退火气氛和RTA恒温时间对洁净区和氧沉淀的影响。 2．试验内容 2铕(ASTM一79标准， 本实验采用P型，(100)取向的300n硅抛光片，其间隙氧含量为27ppma ·419- 中国有色金属学会第六届学术年会论文集(2005．10) —— 一 ————