半导体存储器及其应用.pptVIP

0.3 半导体存储器及其应用 一．半导体存储器的分类 3-1 RAM : 随机读写存储器 能够随时在任一地址读出内容或写入新的内容。 特点：读写方便，使用灵活 缺点：不能长期保存信息，一旦停电，所存信息就会丢失 RAM在微机中主要用于： （1）存放当前正在执行的程序和数据， （2）作为I／O数据缓冲存储器 （3）作为中断服务程序和子程序中保护CPU现场信息的堆栈（Stack）。 （4）在后备电源（一般是可充电电池）及掉电保护电路的支持下，作为存放系统配置参数和高级芯片状态参数的存储器。 静态RAM Intel 6116、6264  3-2 ROM：只读存储器 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持信息不丢失。 ROM在微机中主要应用： ROM：用于存放各种系统软件（如BIOS等）、应用程序和常数、表格等 掩模ROM和PROM：大批量生产的微机产品中 EPROM或EPROM芯片： 生产研制和小批量生产 1.掩膜ROM：不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。 2.PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。 3.EPROM：可擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写。 4.EEPROM：可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能失电保存信息，具备RAM、ROM的优点。但写入时间较长。 可现场改写的非易失存储器 本质上属于ROM的一种 功能上，可以随时改写信息，作用又相当于RAM。所以ROM，RAM的定义和划分已经逐渐失去意义。 FLASH存储器 可以在线擦除和改写，所以可以存入数据 擦除和编程写入的速度比一般EEPROM快了10倍 其改写速度比RAM的写入速度慢得多 价格不高 3-2-1 EPROM 2716 3-3 存储器的连接 D0～7数据线：传送存储单元内容。根数与单元数据位数相同。 A0～9地址线：选择芯片内部一个存储单元。根数由存储器容量决定。 存储器与微型机三总线的连接： 3-3-1 存储器芯片的扩充 例1用2K×1位存储器芯片组成 2K×8位存储器系统。 例2用2K×8位存储器芯片组成2K×16位存储器系统。 二.扩充存储器容量 片选方法 1.线选法微型机剩余高位地址总线直接连接各存储器片选线。2．译码片选法微型机剩余高位地址总线通过地址译码器输出片选信号。多片存储器芯片组成大容量存储器连接常用片选方法。 1.线选法示例： 设CE1、CE2、CE3分别连接微型机的AB13、AB14、AB15地址总线 2．译码片选法 地址译码器：74LS138 2．译码片选法 Y0、Y1、Y2分别连接三片存储器的片选端CE1、CE2、CE3 3-3-2 存储器与单片机的连接 存储器与微型机三总线的一般连接方法和存储器读写时序。 1.数据总线与地址总线为两组独立总线。 8位地址锁存器 74LS373、8282 二．微型机总线扩展驱动 当单片机外接芯片较多，超出总线负载能力，必须加总线驱动器。 3-3-3 存储器与单片机的连接实例 MCS-51用于扩展存储器的外部总线信号： P0.0～0.7： 8位数据和低8位地址信号，复用总线AD0～7。 P2.0～2.7： 高8位地址信号AB8～15 ALE： 地址锁存允许控制信号 PSEN： 片外程序存储器读控制信号 RD： 片外数据存储器读控制信号 WR： 片外数据存储器写控制信号 EA： 程序存储器选择 3-3-3 存储器与单片机的连接实例 3-3-3 存储器与单片机的连接实例 四.单片机扩展存储器实用电路 单片机连接 8KB EPROM 2764 和 8KB RAM 6264 各一片 五. 单片机外接EEPROM电路的存储器电路 3-4堆栈 堆栈：实际就是按后进先出原则组织的一段内存区域 堆栈产生的时机： 1调用子程序 2处理中断时 需要暂停主程序的执行 产生堆栈的作用： 1将PC值保留下来－调用子程序指令的下一条指令 2 保留寄存器中主程序的中间结果和标志位 3 子程序嵌套时，要求逐次正确返回－后进先出（LIFO） 子程序的嵌套 微机中的堆栈结构 用堆栈指针SP始终指向堆栈的顶部。 操作指令分为两类： PUSH：把信息推入堆栈 POP：信息由堆栈退出 （1）PUSH ： Push AX →