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第三章 内部存储器 3.1存储器概述 3.2SRAM存储器 3.3DRAM存储器 3.4只读存储器和闪速存储器 3.5并行存储器 3.6Cache存储器 3.1存储器概述 一、分类 按存储介质分类：磁表面/半导体存储器 按存取方式分类：随机/顺序存储器（磁带） 按读写功能分类：只读存储器ROM 随机读写存储器RAM 按信息的可保存性分类：易失性存储器 非易失性存储器 按存储器系统中的作用分类： 主存/辅存/缓存/控制存储器 3.1存储器概述 二、存储器分级结构 1、目前存储器的特点是： 速度快的存储器价格贵，容量小； 价格低的存储器速度慢，容量大。 在计算机存储器体系结构设计时，我们希望存储器系统的性能高、价格低，那么在存储器系统设计时，应当在存储器容量，速度和价格方面的因素作折中考虑，建立了分层次的存储器体系结构如下图所示。 3.1.2 存储器分级结构 2、分级结构 高速缓冲存储器简称cache，它是计算机系统中的一个高速小容量半导体存储器。 主存储器简称主存，是计算机系统的主要存储器，用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。 外存储器简称外存，它是大容量辅助存储器。 3.1.2 存储器分级结构 分层存储器系统之间的连接关系 3.1.3主存储器的技术指标 字存储单元：存放一个机器字的存储单元，相应的单元地址叫字地址。 字节存储单元：存放一个字节的单元，相应的地址称为字节地址。 存储容量：指一个存储器中可以容纳的存储单元总数。存储容量越大，能存储的信息就越多。 存取时间又称存储器访问时间：指一次读操作命令发出到该操作完成，将数据读出到数据总线上所经历的时间。通常取写操作时间等于读操作时间，故称为存储器存取时间。 存储周期：指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间。通常，存储周期略大于存取时间，其时间单位为ns。 存储器带宽：单位时间里存储器所存取的信息量，通常以位/秒或字节/秒做度量单位。 3.2 SRAM存储器 主存（内部存储器）是半导体存储器。根据信息存储的机理不同可以分为两类： 静态读写存储器(SRAM)：存取速度快，但存储容量不如DRAM大。 动态读写存储器(DRAM)： 3.2 SRAM存储器 一、基本的静态存储元阵列 1、存储位元 2、三组信号线 地址线 数据线 行线(64条) 列线 控制线 3.2 SRAM存储器 二、基本的SRAM逻辑结构 SRAM芯片大多采用双译码方式，以便组织更大的存储容量。采用了二级译码：将地址分成x向、y向两部分。 第一级进行x方向（行译码）和y方向（列译码）的独立译码； 然后在存储阵列中完成第二级的交叉译码。 3.2 SRAM存储器 3.2 SRAM存储器 存储体（256×128×8） 通常把各个字的同一个字的同一位集成在一个芯片（32K×1=32×210×1=32×1024×1=256×128×1）中，32K位排成256×128的矩阵。8个片子就可以构成32KB。 地址译码器 采用双译码的方式（减少选择线的数目）。 A0~A7为行地址译码线 A8~A14为列地址译码线 3.2 SRAM存储器 读与写的互锁逻辑 控制信号中： ˉCS是片选信号，ˉCS有效时（低电平），门G1、G2均被打开。 ˉOE为读出使能信号，ˉOE有效时（低电平），门G2开启。 读操作时，写命令ˉWE=1（高电平），门G1关闭。 写操作时，ˉWE=0，门G1开启，门G2关闭。 注意，门G1和G2是互锁的，一个开启时另一个必定关闭，这样保证了读时不写，写时不读。 3.2 SRAM存储器 三、存储器的读写周期 读周期 读出时间tAQ 读周期时间tRC 写周期 写周期时间tWC 写时间tWD 存取周期 读周期时间tRC=写周期时间tWC 3.3 DRAM存储器 一、DRAM存储位元的记忆原理 SRAM存储器的存储位元是一个触发器（又叫锁存器），它具有两个稳定的状态。 DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路，如图3.6所示。 3.3 DRAM存储器 3.3 DRAM存储器 二、DRAM芯片的逻辑结构 图3.7(a)示出1M×4位DRAM芯片的管脚图，其中有两个电源脚、两个地线脚，为了对称，还有一个空脚（NC）。 图3.7(b)是该芯片的逻辑结构图。与SRAM不同的是： （1）增加了行地址锁存器和列地址锁存器。为避免芯片地址线管脚数目增多，采取的办法是分时传送地址码。若