微机原理05.ppt

5.1 概 述 存储器是计算机实现记忆功能的核心部件。用于存放待加工的原始数据和中间计算结果以及系统用户程序等。 两大类——内存、外存 内存——存放当前运行的程序和数据。 特点：快，容量小，随机存取，CPU可直接访问。 通常由半导体存储器构成 RAM、ROM 外存——存放非当前使用的程序和数据。 特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。需调入内存后CPU才能访问。 通常由磁、光存储器构成，也可以由半导体存储器构成 磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘 性能指标 容量：是指一个存储器芯片所能存储的二进制信息量。等于存储单元数*每单元的数据位数。1024表示1K（故容量2048*8bit简称为2K字节或16K位），以1M表示1K*1K等。 最大存取时间：访问一次存储器（对指定单元写入或读写）所需要的时间，这个时间的上限值定义为最大存取时间。 其他指标：可靠性，集成度，价格。 存储器的分类 从制造工艺的角度可以分为双级型，CMOS型，HMOS型。 从应用角度，可以分为： （1）随机存取存储器（RAM），包括静态RAM （SRAM），动态RAM（DRAM） （2）只读存储器（ROM），包括掩模ROM，可编 程ROM（PROM），紫外线可插除的PROM（EPROM）， 电可擦除的PROM（EEPROM），快擦写存储器（Flash Memory） 典型芯片HM6264BL HM6264BL是容量为8K*8的低功耗CMOS SRAM。采用单一+5V供电，输入/输出电平与TTL电平兼容。最大存取时间为70ns~120ns。 HM6264BL的工作模式 HM6264BL读/写周期时序（以读取时间70ns的HM6264BL为例） （1）存储器的读周期 存储器写周期 5.2存储器的连接与扩充 对于微机用户来说，要通过总线把RAM，ROM芯片同CPU连接起来，并使之协调工作。 必须考虑信号连接，时序配合，驱动能力等问题。 存储器芯片选择 类型选择 （1）RAM，存储的信息可以在程序中用读/写指令随机读写，但掉电时信息丢失，一般用于存储用户的调试程序，中间结果及掉电时无需保护的I/O数据及参数。 （2）ROM，内容掉电不容易丢失，但不能随机写入，一般用于存储系统程序（监控程序）和无需在线修改的参数等。 存储器芯片与CPU的时钟配合 当CPU进行读操作时，什么时候送地址信号，什么时候从数据线上读数据，时序是固定的，而存储器芯片从外部输入地址信号有效，到把内部数据送到数据总线上的时序也是固定的，并由存储芯片的内部结构和制造工艺决定。连接时必须注意时序的配合。 6264芯片与系统的连接 8088读周期时序图 5.3存储器容量扩充 位数扩充，例如用两片8K*8的SRAM芯片HM6116扩充成8K*16的芯片组。 单元数扩充（例如用4片8K*8的SRAM芯片HM6116扩充成32K*8的存储区） 5.3 8086/8088与存储器的连接 8086/8088有20位地址线，其中8088的低8位AD7~AD0与数据线复用，高4位与状态位复用。因此8088与存储器相连时须使用外部地址锁存器。 译码电路 将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号，即： 将输入的一组高位地址信号通过变换，产生一个有效的控制信号，用于选中某一个存储器芯片，从而确定该存储器芯片在内存中的地址范围。 全地址译码 用全部的高位地址信号作为译码信号，使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。 全地址译码例 6264芯片的地址范围：F0000H~F1FFFH 111100000……00 ~ 111100011……11 部分地址译码 用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码信号，使得被选中得存储器芯片占有几组不同的地址范围。 下例使用高5位地址作为译码信号，从而使被选中芯片的每个单元都占有两个地址，即这两个地址都指向同一个单元。 部分地址译码例 同一物理存储器占用两组地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A18不参与译码 应用举例 将SRAM 6264芯片与系统连接，使其地址范围为：38000H~39FFFH和78000H~79FFFH。 选择使用74LS138译码器构成译码电路 应用举例(续): 二、动态随机存储器DRAM 特点： DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为动态刷新），所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。 刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒 DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需