第六章－金属和半导体的接触－朱俊9.pdf

第六章 金属和半导体 的接触 Metal-Semiconductor Contact By Prof. Dr. Jun Zhu UESTC 主要内容（三大点，约10课时）：  1、金属与半导体形成的肖持基接触和 欧姆接触，阻挡层与反阻挡层的形成；  2、肖特基接触的电流—电压特性—— 扩散理论和热电子发射理论，即肖特基 势垒的定量特性；（详细阐述）  3、欧姆接触的特性。 §6.1 金属-半导体接触和能带图 一、概述： 1、在微电子和光电子器件中，半导体材料和金 属、半导体以及绝缘体的各种接触是普遍存在 的，如MOS器件、肖特基二极管、气体传感器 等。薄膜技术及纳米技术的发展，使得界面接 触显得更加重要。 2 、MESFET( metal-semiconductor field-effect transistor) 具有与MOSFET相似的电流－电压 特性，但在器件的栅(gate)上电极部分利用金属 －半导体的整流接触取代了MOSFET的MOS结 构；用欧姆接触取代MOSFET的p-n结。 3、第一个实际的半导体器件就是点接触整流性 的金半接触，就是将细须状金属压在半导体表面 。从1904年起，该器件有许多不同的应用。 1938年，Schottky提出其整流作用，可能由半导 体中稳定的空间电荷区所产生的电势能差引起的， 由此所建立的模型称肖特基势垒（Schottky barrier). 4 、两个要点： ①功函数和禁带宽度的不同金属/半导体接触能带 图的变化； ②肖特基接触的整流特性即电流－电压I-V特性。 二、金属和半导体的功函数W W m 、 s 1、金属的功函数Wm 表示一个起始能量等于费米能级的电子，由 金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最 小能量。 即：W E ( E ) m 0 F m E 0 E 为真空中电子的能量， W 0 m 又称为真空能级。 (E ) F m 金属铯Cs的功函数最低1.93eV，Pt最高为5.36eV 2、半导体的功函数Ws E 0 χ Ws Ec E 与费米能级之差称为半导体 E 0 n (E ) 的功函数。