答辩-sicSBD的特性研究与仿真.pptVIP

2007.08 毕业论文答辩SiC肖特基二极管的特性研究与仿真 答辩人：苏佩 导师：朱筠 2014年06月 目录 3 4 5 5 2 1 1 6 研究的目的和内容 SiC SBD的结构和基本原理 器件仿真的物理模型 Silvaco仿真 仿真的结果和分析 结论 研究的目的和内容 随着科学技术的发展,在航空航天、汽车、电子、化工等领域中,迫切地需要低功耗、耐高温、高压、等优良特性的一些器件。在众多的这些宽禁带的化合物中,SiC以其良好的物理性能和电性能代替其他的半导体材料，目前已经成为新型功率半导体器件开发的主流趋势，应用前景十分广阔。 本课题研究的是由金半接触形成的肖特基势垒二极管,在了解SiC SBD器件结构及工作原理的基础上,利用Silvaco软件建立了SiC SBD的结构，然后研究了在不同外延层掺杂浓度下，不同外延层厚度下，SiC SBD正向伏安特性的变化趋势。 SiC SBD的基本原理和结构 器件仿真的物理模型 a. 载流子连续性方程(求解半导体器件各处载流子浓度) (R为电子和空穴的复合几率均，q为电子电荷, 为电子的电流密度) b. 载流子的输运方程(计算电子和空穴的电流密度) ( 为电子的迁移率, n为电子的浓度， 为电子的准费米势 ) C. 泊松方程 ( 为受主浓度, 为电离的施主浓度,ε为介电常数) 　　　 Silvaco仿真分析 SiC SBD仿真流程 定义结构 材料参数及模型 数值计算方法 获取特性 SiC SBD器件结构的建立 初始化网格 定义区域 和材料 定义电极 描述掺杂 SiC SBD 结构图 见下页 Silvaco仿真 　 其中红色区域为衬底，掺杂浓度为1×10 ，厚度为8um；蓝色区域为外延层区域，掺杂浓度为5×10 ,厚度为12um。顶部两边浅绿色为P+保护环，掺杂为5×10 ；顶部中间区域为肖特基结区域。 仿真的结果和分析 正向仿真结果 从此图可以看出， 正向开启电压大约 为1.2V,完全符合SiC SBD 的正向特性 仿真的结果和分析 不同外延层掺杂浓度下的正向伏安特性 通过此图可以看出，外延层的掺杂浓度对SiC SBD的正向伏安特性基本上无影响。原因是电子的扩散长度远大于外延层厚度。实际上此时，衬底的掺杂浓度对饱和电流的影响远大于外延层浓度的影响，所以三条线才会重合。 仿真的结果和分析 不同外延层厚度下的正向伏安特性模拟 (b)d2=7um (c)d3=12um (a)d1=2um 由上面的三个图可得外延层厚度变大，电流减小，这是由于势垒区在外延层内部，当外延层的厚度增加时，正向电流取决于外延层浓度和衬底浓度，而且外延层的掺杂只是略高于本征时的掺杂，所以随着外延层厚度的增加，碳化硅肖特基二极管的电阻必然会增加。因此，正向电流也随之下降。 2007.08