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2018-03-27 发布于山西
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第三章 MOS器件第一节 MOS 器件的工作原理 + S VGS D G - n+ n+ n-channel Depletion 耗尽区 n 沟道 Region p-substrate P 衬底 B 2004-9-22 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》周润德第3 章第1 页 MOS 晶体管的类型与符号 D D G G S S NMOS 增强型 NMOS 耗尽型 D D G B G B S S PMOS 增强型（带体端） NMOS 增强型（带体端） 2004-9-22 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》周润德第3 章第2 页 MOS管的阈值电压（Threshold Voltage ）衬底费米势注入表面电荷衬偏（体）效应功函数差耗尽层电荷 0.9 0.85 衬偏效应系数 0.8 0.75