大学物理实验 教学课件 作者 孙宇航 实验21 PN结正向压降与温度的关系.pptVIP

PN结正向压降与温度的关系 物理实验教学中心 实验背景 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，称为PN结，PN结具有单向导电性。 一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质的是P型半导体，另一部分掺有施主杂质的是N型半导体，P型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区域即PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 P型半导体：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴。 N型半导体：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。 实验目的 ① 了解PN结正向压降随温度变化的基本关系。 ② 在恒流供电条件下，测绘PN结正向压降随温度变化的曲线，并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。 ③ 学习用PN结测温度的方法。 实验仪器 TH-J型PN结UF-T特性实验台、TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪、温度计 实验原理 在恒流供电条件下，PN结的UF对T的依赖关系取决于线性项U1，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的依据。 * 实验内容与步骤 ⑦数据记录 实验起始温度 Ts＝_______℃；工作电流 IF=________?A； 起始温度Ts时的正向压降 UF（Ts）＝________mV； 控温电流=________A。 填写下表 * 实验内容与步骤 注意事项 ① 打开电源，在测量前先预热几分钟后再进行测量。 ② 在整个实验过程中，升温速率要慢。 思考题 ① 在测量PN结正向压降和温度的变化关系时，温度高时UF??T线性好，还是温度低时好？ ② 测量时，为什么温度必须在?50℃～150℃范围内？