单片机应用技术 教学课件 作者 刁金霞 第八章.pptVIP

8.1. 存储器扩展概述 图8-1 74LS373引脚图 1.接口与主存储器单元统一编址 优点：可使用全部访问主存储器的指令，而不必专设I/O指令； 缺点是每个接口都占用一定数量的缓冲区，因而减少了主存储器的容量（16位地址总线所决定）。苹果微型机与51单片机采用此种方式编址。 2.接口单独编址 接口采用8位二进制编址，最多有256个端口地址。 单独编址设置专用I/O指令，CPU和主存储器或CPU和接口之间交换信息，通过不同的控制信号进行区分地址。 8.1.3 扩展存储器芯片的编址方式 1.线选法 用P2口高位剩余地址线直接作为存储器芯片的片选信号的片选译码方法。优点是简单，缺点是地址资源浪费严重，地址映相不唯一，当系统地址资源比较紧张时不宜采用。 2.译码法 由P2口高位剩余地址线通过译码器译码产生扩展芯片的片选信号的译码方法。适于多个芯片的扩展。 *由于集成度越来越高，扩展ROM芯片使用的数量越来越少，因此多采用线选法。ROM与RAM共享数据总线和地址总线。 8.1.4 存储器扩展概况 1.程序存储器扩展 程序存储器（ROM-Read-Only Memory）主要有以下几种： （1）掩膜 ROM ：由厂家生产，用户不能进行编程，适合批量生产。 （2）可编程 PROM ：用户但只能对芯片编程一次，即 OTP 型产品。 （3）紫外线擦除可编程的 EPROM：用户可以使用紫外线灯对芯片进行多次擦除与编程。 （4）电擦除可编程 EEPROM（E2PROM）：可编程可擦除，擦除速度较慢。可作ROM或RAM使用。常用的有2817、2864等 （5）快擦写的 FlashROM ：真正的单电压芯片，读写速度较快，可多次重复擦写。擦除以簇Sector（又称Block）为单位，写入以字节为单位。 2. 数据存储器扩展 （1）静态RAM （Static Random Access Memory-SRAM） ： 优点：读/写速度高，易于扩展，使用方便； 缺点：集成度低，成本高，功耗大。 *由于实际应用中需要扩展的容量并不大，一般采用静态RAM，如SRAM6166、6264等 （2）动态RAM （Dynamic Random Access Memory—DRAM） ： 优点：集成度高，成本低，功耗相对较低； 缺点：需要增加一个刷新电路，附加另外的成本。。 8.2 存储器扩展项目实例1 ——并口扩展程序存储器 功能需求：实现并口扩展EPROM并能够实现读写功能。 功能分析： (1)一般P2、P0口作为AB， (2)P0口复用为DB，EPROM的读取由引脚控制， (3)其他控制线对应连接即可，为方便观察加入指示灯显示：指示灯VL1闪烁表示EPROM数据读取状态，VL2亮指示数据传送成功。 (4)编程实现把扩展ROM中的32个数据读出来,送入内部RAM40H~5FH单元。 8.2.1 硬件需求分析与硬件电路的确定 1. 硬件需求分析及元件的确定 （1）能够作片外ROM的芯片主要有EPROM和E2PROM存储器。 2．硬件电路原理图： 3.硬件电路元件清单 8.2.2 软件需求分析及解决方案 1. 软件需求： （1）由接线图确定2764的存储地址范围。 （2）编程实现读出ROM中的32个数据,放入内部RAM中的40H~5FH单元中，并满足指示灯的显示状态。 2. 分析及解决方案： （1）P2.5=0时选中2764，P2.7、P2.6默认为0。 2764的存储地址范围： P2.7,P2.6,P2.5,P2.4,P2.3,P2.2,P2.1,P2.0,P0.7,P0.6,P0.5,P0.4,P0.3,P0.2,P0.1,P0.0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0B~ 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1B 即字节地址为0C000H~0DFFFH。 （2）编程实现将2764中0C00H~0C1FH单元数据读入片内RAM40H~5FH单元中。 ORG 0000H AJMP MAIN ORG 0030H MAIN:MOV DPTR, #0C000H MOV R0,#40H MOV P1,#0FFH LOOP1:MOVX A,@DPTR MOV @R0,A MOV P1.0,#0; LCALL DELAY MOV P1.0,#1; INC DPTR INC R0