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全国磁热效应材料和磁制冷技术学术研讨会论文集 层状复合磁制冷材料制备研究 1, 1 2 2 曾宏 *况春江 张久兴 岳明 (1-安泰科技股份有限公司，中国钢研科技集团公司 北京 100081) (2-北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室，北京 100022) 近年来，室温磁制冷技术因其制冷效率高和环境友好特性而成为当前制冷技术领域的研究热点。 因而，一批具有良好的磁热效应磁制冷材料，特别是室温范围附近的磁制冷材料如钆，钆硅锗合金、 类钙钛矿化合物、镧铁硅合金、及 MnAs 系合金等得到了广泛的研究和发展。然而上述磁制冷材料 在其各自的居里温度(T)附近具有较高的磁热效应，但是，一旦工作温度偏离材料的居里温度时， C 材料的磁热效应就会急剧下降，也就是说这些材料都存在制冷温区窄的问题。本文将放电等离子烧 结这种新型、快速连接技术被运用制备多组元 Gd (Gd Si Ge ) 层状复合磁制冷材料，有助于解决 x 5 2 2 1-x 单一磁制冷材料工作温区窄的实用化技术问题。 以高纯钆和Gd Si Ge 、Gd Si Ge 合金为原料，采用放电等离子烧结技术（SPS ）制备了两 5 2 2 5 1.85 2.15 组元Gd/Gd Si Ge 和三组元Gd Si Ge /Gd/Gd Si Ge 新型层状复合型室温区实用化磁制冷材料。 5 2 2 5 2 2 5 1.85 2.15 利用扫描电子显微镜和电子能谱对复合材料的显微组织形貌及化学成分进行了观察和分析。图 1 示 出了Gd/Gd Si Ge 复合材料横断面的SEM 照片。可以看出，Gd 与Gd Si Ge 两相之间的复合界清 5 2 2 5 2 2 晰，其过渡层宽度约为 10um 左右，而且界面上没有明显的孔洞和裂纹存在，从而说明使用SPS 技 术在低温、快速的条件下进行热连接，可以获得稳定的层状Gd/Gd Si Ge 复合材料。图2 是采用放 5 2 2 电等离子烧结技术制备三组元Gd Si Ge /Gd/Gd Si Ge 复合磁制冷材料 SEM 照片。上面实验的 5 2 2 5 1.85 2.15 结果表明采用放电等离子烧结制备复合材料过程中产生的固溶扩散层宽度很小，也就是说形成的新 物质比例较小。由此认为，这一界面层对复合材料的磁制冷特性不会产生过大的影响。 图1 放电烧结制备的Gd/Gd Si Ge 复合材料横 图2 放电烧结Gd Si Ge /Gd/ Gd Si Ge 复合材料 5 2 2 5 2 2 5 1.85 2.15 断面的SEM 照片 横断面的SEM 照片 参考文献： W. Dai, J. Appl. Phys, 1992, 71: 5272. - 44 -