第四章-存储器.pptVIP

微机原理与接口技术 The Theory of Microcomputer and Technology of Interface 本章主要内容 微型机的存储系统、分类及其特点 半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接 存储器扩展技术 高速缓存 微型机的存储系统 将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法组织起来——这样就构成了计算机的存储系统。 系统的存储速度接近最快的存储器，容量接近最大的存储器。 存储器的层次结构 微机拥有不同类型的存储部件 由上至下容量越来越大，但速度越来越慢 存储器：内存、外存 内存——存放当前运行的程序和数据。 特点：快，容量小，随机存取，CPU可直接访问。 通常由半导体存储器构成 RAM、ROM 外存——存放非当前使用的程序和数据。 特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。 需调入内存后CPU才能访问。 通常由磁、光存储器构成，也可以由半导体存储器构成 磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘 半导体存储器 由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的一些半导体器件组成。如触发器、MOS管的栅极电容等。 能存放一位二进制数的器件称为一个存储元。 若干存储元构成一个存储单元。 存储器的主要技术指标 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N 存取时间：从启动读 写 操作到操作完成的时间 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 平均故障间隔时间MTBF（可靠性） 功耗：动态功耗、静态功耗 随机存取存储器RAM 要求掌握： SRAM与DRAM的主要特点 几种常用存储器芯片及其与系统的连接 存储器扩展技术 典型SRAM芯片 CMOS RAM芯片6264（8K*8）： 主要引脚功能 工作时序 与系统的连接使用 6264的工作过程 读操作 6264的工作过程 写操作 6264操作与控制信号对应关系 6264与系统的连接 译码电路 将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号 将输入的一组高位地址信号通过变换，产生一个有效的控制信号，用于选中某一个存储器芯片，从而确定该存储器芯片在内存中的地址范围 译码方法有: 全译码：所有地址线都参与译码 部分译码：部分地址线参与译码 线译码： 全译码 用全部的高位地址信号作为译码信号，使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。 全译码连接图 全译码 6264芯片的地址范围：F0000H~F1FFFH 111100000……00 ~ 111100011……11 部分译码 用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码信号，使得被选中得存储器芯片占有几组不同的地址范围。 下例使用高5位地址作为译码信号，从而使被选中芯片的每个单元都占有两个地址，即这两个地址都指向同一个单元。 部分地址译码 同一物理存储器占用两组地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A18不参与译码 部分译码连接图 部分地址译码示例 将SRAM 6264芯片与系统连接，使其地址范围为：38000H~39FFFH和78000H~79FFFH。 选择使用74LS138译码器构成译码电路 动态随机存储器DRAM 特点： DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为动态刷新），所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。 刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒 DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。 DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。 动态随机存储器DRAM 常见DRAM的种类： SDRAM（Synchronous DRAM）——它在1个CPU时钟周期内可完成数据的访问和刷新，即可与CPU的时钟同步工作。SDRAM的工作频率目前最大可达150MHz，存取时间约为5～10ns，最大数据率为150MB/s，是当前微机中流行的标准内存类型。 RDRAM（Rambus DRAM）——是由Rambus公司所开发的高速DRAM。其最大数据率可达1.6GB/s。 DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）——是对SDRAM的改进，它在时钟的上升沿和下降沿都可以传送数据，其数据率可达200-800 MB/s。主要应用在主板和高速显示卡上。 RAM的3个特性： 1）可读可写，非破坏性读出，写入时覆盖原内容。 2）随机存取，存取任一单元所需的时间相同。 3）易失性（或挥发性）。当断电后，存储器中的内容立即消失。 典型DRAM芯片2164A 2164A：64K×1 采用行地址和列