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纳米集成电路的静电放电防护,静电放电发生器,静电放电,静电纺丝与纳米纤维,静电放电抗扰度试验,静电放电测试,静电放电模拟器,静电放电试验,静电放电器,静电放电模型
40 1 Vol40, No. 1
2010 2 Micr oelectr onics Feb. 2010
李明亮, 董树荣, 韩 雁, 杜晓阳, 霍明旭, 郭 维, 郭 清, 黄大海, 宋 波
( ESD , 310027)
: 综述了纳米集成电路片 ( On-C ip) 静电放电防护( ESD) 的研究现状; 结合自身流片数
据, 阐述其ESD 防护机理和设计要点从器件ESD 防护机理入手, 逐步深入分析阐述了纳米集成
电路的新特征纳米器件的失效机制以及基于体硅 CM OS 工艺和SOI 工艺的基本ESD 防护器件
在此基础 , 对纳米集成电路ESD 主要热击穿失效的热量产生机制热耗散问题, 以及边界热电阻
对ESD 防护带来的影响进行了分析, 提出了利用纵向散热路径和工艺整合方案来提高纳米集成电
路中ESD 防护器件鲁棒性的有效措施
: 纳米工艺; 集成电路; 静电防护
:T N432 :A : 1004-3365( 2010) 01-0087-07
An Overview of ESD Protection in Nanomet er IC
LI Mingliang, DONG S urong, HAN Yan, DU Xiaoyang, HU O Mingxu,
GUO Wei, GU O Qing, HUANG Da ai, SONG Bo
(ESD L ab, Dept. of ISEE, Zhej iang University , H angz hou 310027, P. R. hina)
Abstract: On-c ip ESD protection design for nanometer IC w as reviewed, including c aracteristics of nanometer
IC, failure mec anism and cases analyses of nanometer device, basic ESD protection elements based on advanced
CMOS bulk and SOI tec nology. H eat generation and dissipation, and boundary t ermal resist ance w ere investiga-
ted, as w ell as t eir effects on ESD protection for nanomet er IC. Tw o novel concepts of vertical t ermal diffusion
and process integration w ere proposed to en ance t e robust ness of ESD protection in nanometer IC.
Key words: Nanometer tec nology; Integrated circuits; Electrost atic disc arge prot ection (ESD)
EEACC: 2570D
1 引言 2 纳米集成电路ESD 失效机制与
失效形式
, k
PDSOI ( Partially- , ESD
Depleted SOI) FDSOI( Fully-Depleted SOI) DG-
[ 4 ]
SOI ( Double-Gate
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