X波段自保护MMIC低噪声放大器地设计.pdfVIP

2000’令国第八届‘微波集成IU路与移动通信’学术年会 99 x波段自保护MMIC低噪声放大器的设计 彭龙新孙毅 南京电子器件研究所200016 摘要本文简述了一种新型X波段单片自保护低噪声放大器的设计。此低噪声放大器与一般的低噪声放大 器不同，它由保护电路，采样检波电路和主放大器三部分组成。当输入电平．7dbm时，放大器正常 工作。在8．5—10．5 GHz，增益大于23dB．噪声系数小于2．0dB，输入输出VSWRI5：但当输入电 平-7dBm时，采样检波电路开始驱动保护电路，保护电路把大部分输入功率反射回去。输入功率 越大，反射越大，从而保护了主放大器。 一．引言 度不够大，或发射信号从天线反射回来，可能会导致放大器烧毁。当T／R接收信号时，由于 雷达所处环境复杂，或在电子战中，接收信号太强时，也会使放大器烧毁。因此在这两种情 况中都要求接收机前端有自保护功能。PIN嵌位法[1]在输入电平．7dbm时，不能工作(由 于门槛电平Vd=0．7v)。信号衰减法[2]会把微波能量变成热，使衬底温度升高。本文介绍一 种新的方法，采样检波反射法。既可以在低输入电平时动作，又不会使衬底温度升高。 二．电路原理和设计 1．低噪声放大器的设计 此低噪声放大器由三级组成。由于第一级对整个LNA的噪声系数和输入驻波起着决定 与它的输入阻抗Zin不同，因此很难同时获得噪声匹配和输入驻波匹配。但若在FET源 端引入适当的串联反馈，则有可能同时获得最佳噪声匹配和输入驻波匹配。其原理如图1 所示。 D Vc T 【◆)g。v。 i晕IgRCgs F P i：。y““ ls=Ig+g。Vcm 。。 芎+ ZI。Ls专1l r—————上■—一S 图1源反馈FET等效电路 图2．单级放大器电路拓扑图 (1) 100 2{)00’牟_阳勰八屙‘微波集成lU路1I移动通信’学术年会 和输入驻波匹配。由这种方法设计的单级放大器的电路如图2所示。第二，第三级既要求有 较高的增益，又要求有适当的噪声系数。而且要求第三级的PIdB=13dBm，所以第三级的栅 宽是第二，第三级的2倍。 2．采样检波电路和功率反射保护电路的设计 From2“StageofLNA 图4功率反射保护电路 图3．采样检波电路 7)／2mA=600Q， (a)当T／R发射时，vTTI=2V，只要适当选取Rl=(Vp．07)／Id】=(2-0 则可使V“。-+o．】4 反射保护电路的开关栅上，所有开关FET导通，关闭主传输线，把漏过来的发射功率反射回 去，如图4所示。 (b)当T／R接收信号时，V盯L=一2V，D1截止，若R2=R 输线打开，D，，D：处于I临界导通状态。当接受信号大到一定程度时，vin电容C，取样，检波， 输出直流电压迭加在V。。上，使加到保护电路栅上的负压减少，开关FET关小通道。接受 信号越大，通道越小，输入功率被反射越多，从而保护了主放大器不被烧毁。调节采样电容 的大小，可改变保护电路的启动功率。 个管子的栅宽比输出端的大得多。在小信号输入时，此电路只有0．4dB的损耗。 三．电路模拟 根据以上设计方法，用MDS先对电路进行小信号分析并优化，然后进行大信号分析， 同时调整某些元件值。 的v。和I。随输入功率的关系。因漏到主放大器的功率保持不变，从而受到保护。 2noo、个1日第八屙·微波集成IU路