热蒸发法ZnO纳米棒阵列地研究.pdfVIP

68 助 能 财 许 热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究木 张志鹏，王 浩，莫琦，王毅，汪汉斌，杨辅军，朱建华 (湖北大学物理与电子技术学院暨铁电压电材料与器件湖北省重点实验室，湖北武汉430062) 摘 要：采用热蒸发的方法在办O薄膜缓冲层上成功 纳米棒阵列，避免了这种污染问题。 制备了高密度的znO纳米棒阵列，其中办O薄膜缓冲 2实验 L嬲er 层是通过PLD(PulsedDeposidon)的方法制得。与 已有的报道不同，该方法未使用任何金属催化剂．X射 线衍射仪(Ⅺ①)以及场发射扫描电子显微镜(FE．SEM) 单晶硅片上沉积一层600llm的zIlO薄膜。 的结果表明，实验得到的zIlo纳米棒阵列整齐垂直排 列在衬底上．此外，在常温下测量得到的光致发光(PL)并放入管式炉氧化铝反应管的中间位置；将沉积了zno 谱和透射电子显微镜显示该znO纳米棒阵列结晶较好， 薄膜的硅片膜面朝上，放置在下风方向离加热源24cm 无明显的缺陷