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摘要
摘要
随着我困市场经济的发展，Ic卡得到越来越广泛的运用。卡中EEPROM存储
器的优劣深刻影响Ic卡的性能。隧道氧化层的退化是引起EEPROM可靠性的主
要原因。本文利用MoS电容和浮栅引出的FLoToxEEPROM单元结构研究了隧
道氧化层在恒流应力下的退化。研究表明击穿电荷量QBD与电流密度和电流方向
有关。QBD随着电流密度的增大而减小，正电流偏置应力下的QBD较大。给出了评
过10万次。栅压和阈值电压的变化表明隧道氧化层的退化与注入电荷量Q。和注
入方向有关。低Q¨¨下，隧道氧化层中以正电荷俘获为主；在高QⅫ下，以负电荷
的俘获为主。栅注入应力下产生更多的正陷阱电荷和界面态。通过物理模型解释
IP核的可靠性进行了研
了实验现象。设计了专用的测试系统，对嵌入式EEPROM
究。
通过简单的解析模型，提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则。利用这一
原则，可以由输入和输出电压确定升压级数，使得转化效率最大化。根据所需的
输出电流确定充电电容的值。通过对传统电荷泵电路的改进，消除了衬偏效应。
EEPROM
在华虹NECO．35“m cM0s：[艺下的仿真结果表明提出的设计原则的正
确性。
关键词：隧道氧化层，EEPROM，击穿电荷量，电荷泵电路，优化设计
Abs订act
themarket fasterandf如terin ICcards
economy china，廿1e
Nowadays，as deVeloping
andmore to liVes．Aswell
aremore known，
technique u11iversally印pliedpeople’daily
the ofembeddedEEPROM afundaITlentalr01etotheICcard．
reliability memoryplays
elementwhich the
oftunneloxideisthe causes
Moreover，thedegradation major
tuIlIleloxide is
EEPROM’s ofthe
declineof reliability．Thedegradation phenomenon
u11derconst{ultcurrent MOS andFLOTOX
invest追ated stress，byusing capacitors
anaddⅢonalelectricalcontactto
stmctureswhichwith
EEPROM noatinggate．The
cuⅡem
the tobreakdownis onstr℃ssed
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