微机组装与维护 教学课件 作者 赵小明 主编 陈英撑 代绍庆 副主编 第4章 内存储器.pptVIP

微机组装与维护 教学课件 作者 赵小明 主编 陈英撑 代绍庆 副主编 第4章 内存储器.ppt

  1. 1、本文档共23页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第4章 内存储器 本章要点 本章难点 对内存数据存放形式的理解 对内存延迟时间的计算的理解 对虚拟内存概念的理解 内存分类 内存条组成及结构 RAM分类 内存数据存放形式 1、内存分类 2、内存条组成及结构 3、RAM分类 4、内存数据存放形式 4.2 内存速度性能指标(1) 4.2 内存速度性能指标(2) 4.3 常见内存条种类(1) 4.3 常见内存条种类(2) 4.3 常见内存条种类(3) 4.3 常见内存条种类(4) 4.4 内存封装形式(1) 4.4 内存封装形式(2) 4.5 内存条性能指标(1) 4.5 内存条性能指标(2) 4.6 内存条规范(1) 4.6 内存条规范(2) 4.7 虚拟内存 小 结 内存是计算机的主要组成部件,用于存放程序和数据,它由只读存储器和随机存储器两类组成。随机存储器用于存放用户程序和数据,人们称其为内存,随机存储器以内存条形式出现。 内存条主要性能指标有容量和速度,影响内存条速度的主要是内存芯片,内存芯片速度的快慢以内存延迟时间来衡量,它与内存芯片封装形式有关,内存条容量、速度等性能指标通过内存芯片上的标识来识别。 利用附加的硬件和存储管理软件将外存充当内存使用,从而扩大内存容量,这一技术称为虚拟内存技术。 微机组装与维护技术(第二版) 微机组装与维护技术(第二版) 微机组装与维护技术 赵小明 ◎ 主编 科学出版社 本章主要介绍了内存基本知识、内存速度性能指标、常见内存条种类、内存条性能指标、内存条规范、内存的标识等知识,同时也介绍了虚拟内存概念。在学习过程中,要求掌握内存分类、内存条组成、RAM分类、内存数据存放形式、内存延迟时间计算、虚拟内存等知识,同时也要了解常见内存条种类、常见内存封装形式、常见内存条规范、常见内存识别以及常见内存条性能指标等知识。 4.1 内存基本知识 内存也就是主存储器,用于存放当前处于活动状态的程序和数据,是计算机不可缺少的组成部分。根据存储信息的方式不同,又可分为只读存储器和随机存储器两类。 只读存储器(ROM,Read Only Memory):停电后数据不丢失。常被用来存放系统程序或一些专用程序 ,如主板上的BIOS程序就是用ROM存储。常见的有PROM、EPROM、EEPROM、FLASH ROM等。 随机存储器(RAM,Random Access Memory):一旦关闭电源或发生断电,其中的数据就会丢失。只能用于暂时存放程序和数据,一般只用于存放各种现场的输入、输出数据,以及中间计算的结果。 内存由内存芯片、PCB(印刷电路板)电路板、电阻和电容等元件组成。一片内存条上往往由单面8片或双面16片内存芯片构成。 内存条引脚俗称“金手指”,用于与主板内存条插槽相连接。金手指中间有一个或者两个缺口,缺口两侧不等长,以防在安装时插反。 动态RAM(DRAM):靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,由于电容会放电,为了保持数据,DRAM需定时刷新,故称动态RAM。 静态RAM(SRAM):靠双稳态触发器来记忆信息。由于晶体管开关速度很快,所以SRAM的读写速度也很快。 动态RAM要比静态RAM集成度高、功耗低,成本也低,适于大容量存储器。而静态RAM要比动态RAM速度快,所以主内存通常采用动态RAM,而高速缓冲存储器(Cache)则使用静态RAM。 内存数据以存储单元为单位,按内存地址进行存放数据。内存地址一般按以下两种方式进行组织。 1.以队列方式进行组织 2.以阵列方式进行组织 时钟周期(TCK,System Clock Cycle Time):代表内存所能运行的最大频率,即每一时钟周期需用的时间。这个数字越小说明内存芯片所能运行的频率就越高,单位为ns。 CAS延迟时间(CL,CAS Latteney):当一个读命令发出时至CAS信号定位内存之间的时延,称为CAS延迟时间,单位为时钟周期。这个值一般为2或者3个时钟周期,如大多数的SDRAM内存就运行在CL=2或3的模式下。延迟时间为2时钟周期的内存芯片在同等工作频率下要比延迟时间为3时钟周期的芯片速度快、性能好。 存取时间(TAC,Access Time from CLK):读取数据所延迟的时间,即内存定位后至数据取出之间的时延,单位为ns。注意与时钟周期之间的区别。 内存总延迟时间:上述三个参数综合评价内存的性能指标,其计算公式为,总延迟时间=TCK×CL+TAC,如PC 100内存,当CL=2、TCK值为10ns、TAC值为6ns时,则总延迟时间=10ns×2+6ns=26ns。 FPM DRAM:快速页面模式动态存储器,通过快速的读写和刷新充电过程完成一个页面的存取过程。时钟周期一般为几十纳秒,工作在60

您可能关注的文档

文档评论(0)

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档