Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响.pdfVIP

20¨年8月，嚏 ，卜卜j潇量■化舌—■r■_|H唪艏韩，■嘣‘一件和免气—肿学采■r戗． ，E第九J■查■■体■：—‘学木奢文 Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响。 蒋玉龙+茹国平屈新萍李炳宗 复旦大学微电子学系上海200433 摘要：本文在多种Si衬底上利用亳至塞避魁壅垫超薄Ni膜以及巡耍翌星些，经过快速热退火处理完成薄膜的固相 硅化反应，通过四探针法、微区拉曼散射法和俄歇(AES)深度分布测试法研究了Ti中间层对Nl硅化反应的影 响。实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成。 关键词：硅化物，NiSi，固相反应 I引言 自对准硅化物技术既可以降低源漏栅区导通电阻，又可以降低这些区域的接触电阻，因而被广 件特征尺寸的减小，常规TiSi2工艺受到“窄线条效应”限制；CoSi2的耗硅量太大难以适应先进浅 件的新一代硅化物。在Ni／Si界面上的残留氧化物会影响Ni／Si固相反应过程和硅化物与硅接触界面 平整性，导致界面粗糙，薄层电阻(Rs)上升，器件漏电流增加。6’7已知氧在Ti中的溶解度很高(700 oC时氧在n中的溶解度为34at．％)，因此n对于界面上的残留氧有很强的清除能力。8。o有报道指 出用Ti作为Ni／Si反应覆盖层，可以降低器件漏电流。“本文尝试研究Ti中间层对超薄Ni膜在多 种Si衬底上硅化反应特性的影响。 Ⅱ实验 结型衬底和P+／N．Si(100)结型衬底。硅片经严格化学清洗并在稀释的HF溶液中漂去表面残余氧化 品经退火后的原子扩散．用微区拉曼散射法研究薄膜的结晶情况． m结果与讨论 图I列出了各种Si衬底上有无瓢中间层情况下样品Rs随退火温度的变化关系。由图可知单一 ×本工作得到国家自然科学基金(NSFC和上海应用材料基金会资助(0213)。 ’yljiang@fudan．edu．cn ．436- 2∞4阜8月，涟 声呻哂tl童一化旮-牛粤俸材#、馘I件和光电——呻采■馘 ，e，『九．■●}■一■—●■Hp木★议 低阻区消失一一相应的，在图2tb)上没有出现对应NiSi的特征拉曼散射峰，进而说明反应并未生 成集成电路生产所需要的NiSi。网此可以说Ti的介入对于弱P型单晶硅衬底和N+／P结型衬底上的 应来说，无论加入Ti中间层与否，都不能形成一段明显的低阻区，只不过对于多晶硅衬底来说在Ti 所对成的～15D2方块的值高得多。 ≈餐忸 段驴匕 粼嚣跚吒一 鬻 ≯亲 国 结型衬底：(d)P+／N结型衬底 }§{一{t{ 圈2Ti中间层加入前后5500(2退火样品的拉曼散射谱。(a)Ti中间层加入前：(b)Ti中间层加入后； 图3给出了N+／P结型(550oC的退火条件)、P+／N结型(600℃的退火条件)衬底上样品在有、 中间层的加入没有改变反应产物最终相，但是却使得Ni／Si比例保持相对稳定的区间增大。两种情况 下反应后n都是由中间层的位置翻转到样品的表层。由于Ni／Si反应中，Ni始终是主导扩散粒子， 而减缓Ni与si的反应速度，使得样品在较低的温度下就可以获得向更稳定的NiSi2相的生长， 图3N+／P、P+／N结型衬底上有无Ti中间层时Ni—Si在不同反应阶段的AES深度谱 但Ni最终还是可以通过扩散完全穿过Ti层与衬底的Si发生了反应，从而导致Ti层翻转。从图还可 知Ti中间层的加入并未引起氧分布情况的明显差别。 ．437一 2∞4年8月，嚏