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第十二届全国固体薄膜学术会议 南宁2010
i r探针诊断
溅射系统中(ArH)一Si系等离子体的Langmu
郭维华1蒋百灵2李洪涛2曹政2郭烈萍2
1．广西大学材料科学与上程学院，南宁530004
2．两安理工大学材料学院，两安710048
了离子密度、离子流通量、等离子体悬浮电位、电子密度、电子温度等参量的变化规律。结果表明，
在同一个空问点上离子流通晕随靶电流和氢分压的增大而增人，相对应的离子密度也会增加。电予密
度随氢分压的增大降低，电子温度在改变靶电流和氢分压时都会发生波动式的变化。氢分压增大时，
非晶硅薄膜的沉积速率会先增大后减小。
关键词：磁控溅射；Langmuir探针；氢分压；等离子体；
L, Ol 仗H dasma。in
amuirprobedial：of(Ar＆H1．Si卜l
probediagnosis plasmasputtering
system
-
Guo Bail in92，LiHongta02，CaoZhen92，Guo
Weihual，Jiang Liepin92
and
ofMaterialsScience
1．College Engineering，GuangxiUniversity,Nanning530004，China
2．MaterialsScienceand University
Engineering，Xi’an
Abstract：Thisutilizes to the ofSilicon under
paper Langmuirprobediagnosedischargeplasma target
as
different behaviorof suchion
change density,ionflux，ion
hydrogenpartialpressures．The parameters
andelectron etc．Was resultsshowedthat
floatingpotential density,electrontemperatureinvestigated．The
same and ion increasedwiththeincreaseof
theionfluxatthe pointcorrespondingdensity hydrogenpartial
theelectron increasedwiththeincreaseof
density,it hydrogenpartialpressure．And
pressure。However,for
theelectron fluctuatedwhenthe and Was
temperature targ
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