Ti掺杂DLC薄膜的制备与其结构研究.pdfVIP

第六石奎圈表面工程学术会议 兰州 2006年B月 Ti掺杂DLC薄膜的制备及其结构研究 2 王鹏1 陈友明12张广安3刘维民1张俊彦卜 (1．中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室兰州730000 2．中国科学院研究生院北京100039 3．兰州大学等离子体与金属材料研究所甘肃兰州730000) 入对薄膜力学性能进行了研究．结果表明：制备的Ⅱ掺杂DLC薄膜，具有典型的含氢类金刚石薄膜 体流量的增加，薄膜中spa含量增加．增大基底偏压，薄膜中键合H原子含量下降，在．150V制备的 薄膜具有最小的b，IG值，硬度达到16．9Gpa． 关键词： 类金剐石碳膜Ti掺杂结构摩擦学性能 likecarbon 类金刚石碳膜(Diamond fiIms)是一类硬度、光学、电学、化学和摩擦学特性类似 于金刚石的非晶碳膜，它具有高硬度、良好的减摩抗磨性、高的化学稳定性、可观的场发射效应、 红外透明性等一系列优异的性能【1】。这一系列优点已被应用于包括制造红外窗口的抗反射涂层、 平面显示的电子发射源、磁盘驱动器的表面保护涂层和精密运动部件的减摩抗磨涂层等[2】。然而， 多年的研究发现，高质量类金刚石碳膜的制备一直受其巨大内应力的困扰。类金剐石碳膜内应力高 达GPa数量级以上，这不仅降低了薄膜与基体之间的结合强度，造成薄膜使用过程中的失效，也限 制了薄膜沉积厚度【3—4】。 实验证明，通过掺杂其他元素，可以有效地降低DLc薄膜中的内应力，增强薄膜韧性，提高薄膜使 用磁控溅射和PECVD来制备的。磁控溅射能量较低，不易获得高s，含量的DLc薄膜，而且，制备 薄膜，需将金属络合物汽化引入真空室，危险性较高，而且工艺不易控制[9-10]。 阴极磁过滤(FCVA)方法是从电弧离子镀中发展出的新型沉积技术，它具有离化率高、离子 能量高和沉积薄膜均匀致密的特点，是近年来薄膜制备中较为理想的方法之一【11】。本文利用FCVA 的方法，在不锈钢上制备了不同掺杂比例的复合DLC薄膜，考察了c出气体分压与基底偏压对薄膜 结构的影响。 1．实验方法 在不同偏压和气体组成比例条件下，利用阴极磁过滤弧的方法，通过电弧燃烧∞靶，制备了面 的高纯氩气和甲烷气体，沉移汽压约为：4-61ff‘Pa。薄膜分别沉积在N单晶硅(用于结构分析)和 单面抛光厚度为8mm的1CrlSNi9Ti；V锈钢片上(用于摩擦学性能测试)。 薄膜表面形貌分析利用岛津公司SPM-9500型原子力显微镜，微悬臂为Si31q4，采用恒力模式。 第六庸奎啊袁面工租拳术套社 兰州 2006年B月 表征。纳米硬度的测量在蛐咀公司生产的n∞眦st600型纳米压人仪上进行，采用三棱锥压头，压 入深度分别为50nm和tOOnm，每个压人深度均采5个点取平均值。利用IJl旧摩擦试验机考查薄膜摩 擦学性能，实验气氛为空气，往复模式，法向载荷为2N，对偶为3Si小14Nt，频率为10I--IZ。 2．结果及讨论 films DLC atdiffewntnil,thaneflow №．1．TypicalA啪j|nag∞oftheTi-doped deposited rate：Left：20scorn 斑曲t：80socm 具有较低的表面粗糙度。随着c凰气体流量的增大，Ti掺杂DLC薄膜表面粗糙度明显下降，薄膜表 面形貌特征从多晶态向非晶状态转变。 图2是不同呲体分压下制备薄膜的Raman图谱，可以看出：制备膜的Raman图谱主要特征是 在1000-18(X)cra1存在一个不对称的宽峰。利用计算机拟和可以将图谱分解为位于1350cm-1的D峰和 1580 积的薄膜中没有明显的类金刚石或类石墨结构出现。当c}饩体分大于40SecmlN-，随着嗽体分 压的增大，薄膜中G峰与D峰逐渐向低波数偏移，bfIG的强度减小。通常D峰向低波数偏移，而且I。，I凸 达到最大值。 第六届奎田表面工程学,g垂-it