低能B离子在C60薄膜与金刚石薄膜中引起辐照效应的Raman研究.pdfVIP

A17 低能B离子在C60薄膜和金刚石薄膜中引起辐照效应I阿Raman谱 研究8 付云狲1,2)9金运范1’姚存峰1·2) 1)(中国科学院近代物理研究所，兰州730000) 2)(中国科学院研究生院，北京100049) 摘要： 用Raman散射技术分析了能量为170keV的B离子在碳的两种同素异构体C60薄膜和 金刚石薄膜中引起的辐照效应，即由晶态向非晶态的转变过程；比较了这两种薄膜对离子 辐照敏感性和辐照条件下结构稳定性的差异：演绎出了C∞和金刚石的损伤截面s分别为 8．68x10_15和7．10xlO_15 cm2,由此看出C60对B离子辐照比较敏感；金刚石相对稳定． 关键词：C60薄膜，金剐石薄膜，B离子，辐照效应，Raman谱 1．引 言 自从有人类文明以来与碳相关的材料在人类生活中一直扮演着极其重要 的角色，在当代科学技术领域尤为重要．C60分子具有笼形结构，分子点群为Ih，具有五 重对称性，碳原子杂化类型为sp2·驾有一定的sp3性质，三维大P键共轭形成碳笼． 笼状结构的C60分子占据C∞晶体的格点位置并按面心立方(fcc)结构堆砌，金刚石由 两个碳原子的面心立方子晶格相错埘套构而成，其轨道杂化类型为sp3．这两种碳 的同素异构体都有着非常广阔的应用，并有潜在的应用前景，在辐照环境下的应用 和潜力特别被看好．例如，金刚石薄膜可以做强辐射条件下稳定工作的大规模集成 电路的芯片和离子探测器；C60也是作为用于辐射场中重要器件的备选材料．加之薄 膜结构工艺技术的进步对于集成电路和光电子器件的发展至关重要．因此，研究荷 能离子在C60薄膜和余刚石薄膜中的辐照效应既有重要的学术意义，又有看好的应 用针对性．到目前为止，国内外已有不少有关荷能离子在两材料中引起效应的研究 工作，所涉及的离子包括了从H到U的多种离子，离子能量涵盖了从keV到GeV的 很宽的能区．研究内容主要包括离子与其相互作用机制和材料改性【1-31．但是对于在 ‘罔客F1然科学摹余资助f颀f，批准号10675150) 9 E-mail：鱼理Ⅱ丛Qggf蛰迤l竖§。g刍￡＆ le!：+864)931-4969632 62 完全相同条件下辐照C60薄膜和金刚石薄膜，比较它们结构稳定性的研究工作至今 还未见报道． 本文利用能量为170keV B离子对C60薄膜和金刚石薄膜在实验环境完全 相同的情况下进行了辐照．用Raman散射技术分析了它们的辐照敏感性和在辐照 条件下的结构稳定性差异，演绎出了它们的损伤截面s．由此，获得了B离子在两种 薄膜材料中引起效应的过程和辐照损伤程度的相关信息． 2。实验方法 C60薄膜是用真空蒸发法在50忸m的舢箔上沉积制得的；金刚石薄膜是由 中国航天工业总公司510所利用WCVD方法在硅衬底上制得的．B离子辐照是在中 国科学院上海微系统与信息技术研究所的IM--200型离子注入机上完成的，B离子 效应的影响．辐照过程中将C60薄膜和金刚石薄膜样品置于同一靶托上，以保证它们 处在完全相同的辐照环境下．辐照引起的效应是用Raman散射技术分析的．Raman 散射分析所用仪器为JY．HR800，实验几何为背向散射，激发波长为325nm，对应能量 3．SeV．辐照参数见表1． 表1：170KeVB离子辐照参数投影射程、电子能损和核能损由TRIMl4I程序计算 靶材 靶材厚_l!复 投影射程 电子能损 核能损 i叁!凼 i垒2 f兰篁垒2f地 ．． ；签!竺 !兰鳖竺∑!垒2 C6D薄膜 3000 4782 39．49 1．869 金刚石薄膜 2000 3．结果分析与讨论 图1给出了未辐照和170keVB离子辐照后的G,o薄膜和金刚石薄膜的