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第一章1.1 集成电路的印象体积小质量轻；高速度；低功耗；高可靠性；电子整机低成本；电子产品设计周期短微电子学——微型电子学；核心——集成电路；微电子技术专指从事半导体集成电路设计和制造的工作，由于多用材料主要是半导体，因此又常称为半导体集成电路；由于整个电路在一层薄如纸的一层硅片内完成，有人将半导体集成电路为芯片或半导体芯片。1956年，晶体管的发明人威廉·肖克利 (William Shockley) 在斯坦福大学南边的山景城创立肖克利半导体实验室。1957年，肖克利决定停止对硅晶体管的研究。当时公司的八位工程师出走成立了仙童 (Fairchild) 半导体公司，称为“八叛逆”。“八叛逆”里的诺伊斯和摩尔后来创办了英特尔 (Intel) 公司。在仙童工作过的人中，斯波克后来成为国民半导体公司的CEO，另一位桑德斯则创办了AMD公司。英特尔仍是全球最大半导体厂商集成电路的制造：400多道工序；芯片制造过程：晶圆处理、晶圆针测、封装、成品测试等；在晶圆上制作电路及电子元件，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒。对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒。处理后的晶圆排满成百上千个集成电路。晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。 在一块半径为R的圆形晶圆片上制造面积为A的方形芯片的晶圆面积利用率为：晶片直径越大，晶片利用率越高，芯片制造成本下降把某个独立功能电路采用集成技术制作在一个芯片中，形成一个独立的电子器件，这个电子器件就叫集成电路。集成电路与分离元件相比，主要有如下几个优点：1，通常只有几克；2，电路工作速度的提高是以减小尺寸获得的。微电子加工技术的特征尺寸已进入深亚微米，缩小特征尺寸的目的之一是为了提高芯片的集成度，而更重要的是为了达到电路的更高速度；3，（1）尺寸缩小，驱动电路所需的功率随之也减小；（2）降低功耗的目的不仅仅是为了节省电能，更重要的是为了提高芯片的集成度（过高的功耗会使芯片因发热而损坏）；4，整个电子系统的可靠性，通常与分立元件的个数成反比。采用大规模集成电路后，元器件数目和外部的接触点都大大减小，因而可靠性得到很大提高。5，大幅度减少印刷电路和接插件，减小电子产品的体积和质量，减小装配和调试费用。IC的技术特点具有独立的电路功能；是一个独立的物理器件；具有独立的外特性IC的应用特点易于使用（简化电子系统设计）性能良好（提高了电路性能）参数稳定；SIC（Standard IC）不针对任何用户，可大批量生产，如通用的微处理器芯片、通用存储器芯片等。通常采用全定制设计，以便获得最佳性能。ASIC Application Specific Integrated Circuit.专用集成电路或专用芯片。集成分类：集成电路集成度的提高主要依赖于：（1）晶体管尺寸的缩小；（2）芯片面积的增大（60年代是1mm^2，20世纪末超过了1cm*1cm）。 集成度：一块集成电路芯片（单位面积）中所包含的元器件（晶体管）数目【真空电子管】金属里是有电子的，在很高的电压作用下有可能把冷金属里的电子拉出来，在不太高的电压作用下也可能把热金属里的电子拉出来。 现在我们把两块金属封在一个真空的玻璃管里，一块加热一块不加热，那么我们就可以轻易把热金属里的电子拉向冷金属，而很难把冷金属的电子拉向热金属。这样就使得这个管子具有了单向导电的特性，电子从热金属飞向冷金属，在物理上就定义为电流从冷金属流向了热金属。使用真空的原因是为了避免空气分子对电子运动造成不利影响。 以上就是电子二极管的原理，它的特性是单向导电，热金属为阴极（负极），冷金属为阳极（正极）。阴极通常是用灯丝或者旁边装有灯丝的金属片制作的，而阳极则是普通金属片。摩尔定律：集成电路芯片的集成度每三年提高4倍（18个月翻一番），而加工特征尺寸缩小 倍。集成电路的发展方向特征尺寸继续等比例缩小；晶圆尺寸向300mm以上大小发展；铜导线技术广泛应用，新材料和新型器件不断涌现；集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC)；微电子技术与其它学科相结合，诞生出一系列崭新的学科和重大的经济增长点：MEMS(微机电系统)：微电