影响碳化硅光导开关最小导通电阻的因素.pdfVIP

第24卷第3期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．24．No．3 2012年3月 HIGHPOWERI。ASERANDPARTICI|EBEAMS Mar．2012 文童编号20I2 影响碳化硅光导开关最小导通电阻的因素 刘金锋，袁建强，刘宏伟，赵越，姜苹。 李洪涛，谢卫平 900) (十目T8物目研R＆m体韵m研究*．口Ⅲ绵日621 摘■： 采用2种电阻率的钒掺杂半绝缘6H-SiC晶体制作丁横向结构的碳化硅光导开盖，分别加载不 同的偏压、并使用不同能量的激光触发开展光电导实验。对比实验结果表明：高暗卷电阻牢的碳化硅光导开关 耐压特性远远优于低暗态电阻牢的碳化硅光导开盖．耐压从4kV提高到了32kV；但高暗态电阻率的开关导 通电阻也较大-导通电阻为k／3量级，比低暗态电阻率的碳化硅光导开关的近百n增加了1个量级。通过激光 脉冲波形与光电流脉冲渡形的比较，估算m2种光导开戈的载藏予寿命和载流于迁移率。将这2个参数与砷 化镓光导开燕进行比较．推导出1氐的载流子迁移率是碳化硅开关导通电阻较大的主要雁因。在实验和分析的 基础￡改进设计．研制出了]．作电压超过lOkV、T作电流超过90A的碳化硅光导开荚。 美t词：光导开关，碳化硅；导通电阻；载流子迁移率；载流子寿命 224030607 中豳分娄号：TM836 立越标志码：A dol：103788／HPI，PB201 光导半导体开关(PCSS)由于具有动作快、抖动小、电磁兼容特性好、重复运行频率高等优点，在紧凄型脉 冲功率源、超宽带辐射、THz产生、大功率开关触发等领域有着广阔的应用前景，成为当前脉冲功率开关研究 中的热点之一[】“。制作光导开关的传统半导体材料为砷化镓，而近年来，由于具有更优良的材料特性．碳化硅 光导开关备受关注7”。自20世纪90年代开始，随着材料制备丁艺、晶体质量和开关设计技术的进一步提 高，碳化硅光导开关水平大幅提高””，。然而，碳化硅光导开关仍面l临着导通电阻高的问题“31“。2007年，J． 064 S．Sullivan等人报道了击穿电压为11kV的6H—SiC纵向结构光导开关，采用14mJ的1 nm激光触发，最 小导通电阻为1In，采用13mJ的532Hm激光触发，最小导通电阻为2～3nooⅢ。2009年，CJames等人报 道丁击穿电压超过22kV的6H—SiC横向结构光导开关，采用30mJ的532nm激光触发，开关最小导通电阻 约为400n““。受制于材料技术水平，国内碳化硅光导开关的研究起步较晚”62“，其研究同样遇到了导通电阻 过高的困难，如本小组曾经报道了最高工作电压为4 064 kV的碳化硅光导开关，采用60mJ的1 nm激光触 发，开关最小导通电阻约为65n”7”1。 关于碳化硅光导开关高电阻的原因也引起了较大的争议，J．SSullivan等人认为是碳化硅光导开关对激 值高出了2个量级，并表达了激光吸收效率低造成开关电阻高的观点““，然而仅在一年后通过比较实验发现， 掺钒6H—SiC中极低的载流于寿命是开关导通电阻高的主要原因o“。本文在前期碳化硅光导开关研究的基础 上，对比研究了不同暗态电阻率的碳化硅光导开关的导通特性，甄别出了影响碳化硅光导开关导通电阻的重要 因素。 1、r 1实验 实验研究了2个碳化硅光导开关样品。2个样品均由0．4 j mm厚的钒(V)补偿半绝缘6H—SiC横切片制备而成．但二者具有