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* * ?? * ??注入后在快速退火（RTP)装置中退火数秒。 采用RTP退火以免杂质特别源、漏区杂质进一 步扩散。 * 采用RTP退火以免杂质特别源、漏区杂质进一步扩散。 * * ?? ?? * * * * * * 三明治结构 * 三明治结构 * * * * * * ?? ?? ?? * ?? ?? ?? * ① 间隙填充：采用HDPCVD交替进行淀积和刻蚀，致密填充； ② 氧化物淀积：ILD-2； ③ 平坦化ILD-2：磨抛表面； ④ ILD-2刻蚀：形成Via-2。 Thin Films Diffusion Photo Implant 3 2 1 4 Etch Polish 9.4.11 通孔2和金属塞2的形成 * Thin Films Diffusion Photo Implant 3 2 1 4 Etch Polish ① 淀积Ti：钨和SiO2的粘合剂； ② 淀积TiN：钨的扩散阻挡层； ③ 淀积钨：钨有较好的空洞填隙能力和抛磨性能； ④ 磨抛钨。 9.4.11 通孔2和金属塞2的形成 * ① 淀积、刻蚀金属2：方法同金属1的制作； ② 填充层间介质间隙：致密填充； ③ 淀积、平坦化：淀积ILD-3，磨抛表面； ④ 刻蚀、淀积、平坦化 ：形成金属2 。 9.4.12 金属2互联的形成 * Full 0.18μm CMOS Cross Section 9.4.13 金属3、压点及合金 * SEM Micrograph of Cross-section of AMD Microprocessor 9.4.13 金属3、压点及合金 * Wafer Electrical Test using a Micromanipulator Prober ① 第一次测试：在首次金属刻蚀完进行。 此次测试特定器件的特定电学参数； ②第二次测试：在芯片制造的最后一步工艺后进行； ③硅片通过测试拣选后要进行背部减薄。这使得划片更容易，更利于散热。 9.4.14 参数测试 * 9.4.14 参数测试 9.1.5 两种CMOS技术比较 序号 早期基本的2.0～3.0μm CMOS技术（一层金属） 现代先进的0.18μm CMOS技术（六层金属） 1 双阱工艺（普通单阱、深结） 双阱工艺（倒掺杂阱、浅结） 2 LOCOS 场氧隔离工艺 STI浅槽隔离工艺 3 多晶硅栅结构工艺（特征尺寸3.0μm ） 多晶硅栅结构工艺（特征尺寸0.18μm ） 4 无 轻掺杂漏（LDD）工艺 5 无 侧墙形成工艺 6 源/漏（S/D）注入工艺 （B、P） 源/漏（S/D）注入工艺（BF2、As） 7 无 接触形成工艺（硅化钛形成） 序号 基本的2.0～3.0μm CMOS技术（一层金属） 先进的0.18μm CMOS技术 （六层金属） 8 无 局部互连工艺 9 无 通孔1和金属塞1的形成 10 金属1互连的形成 金属1互连的形成 11 无 通孔2和金属塞2的形成 12 无 金属2互连的形成 13 制作压点及合金 制作金属3直到制作压点及合金 14 参数测试 参数测试 9.1.5 两种CMOS技术比较 * * * * 典型的集成电路Si片制造工艺需要6-8周的时间，需要 E6550的晶体管数量为2.91亿 45nm Intel E8200晶体管数量为4.1亿 RV790的晶体管数量为9.59亿， 到底什么是摩尔定律？归纳起来，主要有以下三种版本： 1、集成电路芯片上所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一番。 2、微处理器的性能每隔18个月提高一倍，而价格下降一倍。 * * * * 刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀。前者各向异性较好 * 。 * 成膜温度低于扩散区成膜温度。包括化学气相淀积(CVD)和金属溅射(物理气相淀积，PVD)所有薄膜设备均在真空环境下工作。其他设备可能有SOG(Spin-On-Glass)系统、快速退火装置(RTP)和湿法清洗设备。 PECVD：等离子体增强型化学气相淀积设备 * 成膜温度低于扩散区成膜温度。包括化学气相淀积(CVD)和金属溅射(物理气相淀积，PVD)所有薄膜设备均在真空环境下工作。其他设备可能有SOG(Spin-On-Glass)系统、快速退火装置(RTP)和湿法清洗设备。 PECVD：等离子体增强型化学气相淀积设备 * Chemical Mechanical Planarization（CMP，化学机械平坦化）是目前先进的抛光（平坦化）方法 * * * * * * ?? * * * * ?? * 金属电极光刻版图及剖面图 9.3.5 金属互连的形成 * 钝化 工艺目的：保护电路器件表面 钝化层的作用：防止金属线划伤、表 面吸潮、表面