PECVD在TSV领域的应用.pdfVIP

先进封装技术与设备 电 字 工 业 专 用 设 蚤 ■ PECVD在TSV领域的应用 李 晶 (沈阳拓荆科技有限公司，沈阳 110179) 摘 要 ：PECVD设备及工艺技术 已在半导体前道互连工艺及 TSV领域展现 了其广 阔的应用前 景 ，介绍了拓荆 PECVD在 TSV领域的应用，展现其 良好的工艺表现。 关键词 ：等离子体增强化学气相沉积(PECVD)；硅通孔技术(TSV)；正硅酸乙酯(TEOS)；二氧化硅 薄膜(SiO：) 中图分类号 ：TN305．96 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—4507(2014)07—0006—04 PECVD ApplicationsinTSV LiJing (PiotechCo．，Ltd，Shenyang110179，China) Abstract：PECVD equipment and process technology has shown broad applications in the Front—End-of-Line (FEOL)semiconductormanufacturingprocess．Thispapermainlyintroducesthe newapplicationofPECVD intheemergingThrough—Silicon—Via (TSV)technoloyg anditsgood performance． Keywords：PECVD (PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)；TSV (ThroughSiliconVia)； TEOS：SiO，film 硅通孔技术 (TSV，Through—Silicon—Via)是通 硅通孔通常被称作Via。first，此时TSv 的制作可 过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之问制作垂直 以在 Fab厂前 端 金 属互 连 之 前进 行 ，实 现 通孔，实现芯片之间互连的最新技术。与 以往常规 Core．to．Core的连接 ；在 CMOS完成之后再进行 的 IC封装键合和使用 凸点叠加 的技术不 同，TSv TSV 的制作，然后完成器件制造和后端的封装被 能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺 称为Via．middle；而将 TSv放在封装生产阶段，通 寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。 常被称作Via—last，该方案的明显优势是可 以不改 TSV与常规封装技术有一个明显的不同点，TSv 变现有集成 电路流程和设计 。 的制作可 以集成到制造工艺的不同阶段 。在 晶圆 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)设备可 制 造 Complementary-Metal—OxideSemiconductor 以在 150～400℃下沉积具有 良好性能的薄膜材 (CMOS)或 Back-End—of-Line(BEOL)步骤之前完成 料，而且具有对孔洞结构的优 良覆盖率，因此在新 收稿 日期 ：2014．06．24 ● 电 子 工 业 专 用 设 备 先进封装技术与设备 近 的TSV领域具有广泛的应用性 。PECVD技术 表 1 TEOS／O PECVD 薄膜 的工艺性能 是通过化学反应的方式，利用等离子能源 ，在反应 器 内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固 界面上经化学反应形成固态沉积物 的技术 。 PECVD通常用于淀积绝缘层，用射频方式产生等 离子体。离子的轰击为次生物质提供能量，使之能 在较低 的温度下就可 以在硅片上发生化学反应而 形成薄膜沉积，因而可应用于金属布线后的绝缘 膜沉积等应用 。 且会影响与下一