PECVD技术生长氮化硅钝化膜的条件控制.pdfVIP

第5卷第3期 南 阳 理 工 学 院 学 报 V0 1．5 No ．3 2 0 1 3年5月 J OURNAL OF NANYANG I NSTI TUTE OF TECHNOLOGY Ma v ．2013 PECVD技 术 生 长 氮 化 硅 钝 化 膜 的 条 件 控 制 盖锡民，陈伯洋 ( 丹东安顺微 电子有 限公司 辽宁丹东 118002) 摘要：不同的工艺条件会对薄膜的生长产生影响。使用等离子体增强化学气相淀积方法 ，对PE VD生长氮化硅 钝化膜的工艺条件进行了实验研究，阐述了几种工艺参数对钝化膜生长的影响，获得了生长氮化硅钝化膜的较佳 工艺条件 ，制作出了高质量的氮化硅钝化膜 。 关键词：PE VD氮化硅；薄膜；钝化 ；折射率 复性和均匀性，即使极大地提高生产成本也在所不 O 引言 惜。本文 旨在理顺ASM—PLASMA I I I 型PECVD设 备各种工艺条件对氮化硅薄膜 的工艺影响，在国外 半导体器件表面对外界气氛十分敏感 ，为了减 提供的工艺条件的基础上，不增加生产成本，优化工 小环境对器件可靠性和稳定性 的影响，通常需要在 艺条件，获得重复性和均匀性较佳的薄膜 。 半导体器件表面生长钝化膜。由于氮化硅膜具有 良 氮化硅薄膜在制作过程中，主要的工艺参数有 好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能 温度、氨气流量 、硅烷流量、射频功率、炉管压力和工 力⋯ ，即能够阻挡钠离子、遮蔽金属离子和水蒸汽 艺时间，实现相 同厚度和折射率的薄膜可 以使用各 扩散 的能力突出旧一，化学性质稳定，抗腐蚀能力强 ， 种各样的组合工艺，非常重要 的一个 问题是每一组 成为了半导体器件表面钝化膜的优质选择。 不同的工艺条件存在着稳定性 的差异 ，即它的重复 生长氮化硅薄膜通常采用的是常压化学气相沉 性和均匀性并不相同。本文将重点讨论不 同的工艺 积( APCVD) 、低压化学气相沉积( LPCVD) 、等离子 条件对薄膜 的厚度和折射率的影响，在不改变厚度 体增强化学气相沉积(PECVD) 。PECVD钝化是工 和折射率的情况下，实现对引进工艺进行优化，从而 业中常用的技术 。这种技术借助射频等使含有薄膜 获得具有更好的重复性和均匀性的氮化硅薄膜用于 组成原子的气体 电离，在局部形成等离子体，而等离 半导体器件的表面钝化。 子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积 出所期望的薄膜。PECVD生长氮化硅薄膜具有 良 1实验原理及过程 好的低温高速率的特点，而且在多数情况下PECVD 生长氮化硅薄膜做钝化 的用途时，为保护器件的参 在我们的试验中采用的是射频诱导等离子体增 数和性能所采用的温度是200—400 ℃左右的低温 强化学气相沉积，所使用的设备是美 国ASM— 情形∞1。 目前该技术的应用 已经突破了传统的半 PLASMA I I I 型PECVD装置，这是一种扩散炉内放 导体器件 的表面钝化 ，拓展到了太阳能 电池领 置若干平行板、由电容式放电产生等离子体 的 域 旧’41，无论是半导体技术还是太阳能技术，国内都 PECVD装置。我们 的试验所使用的硅片为4英寸 有大量的应用，膜厚的均匀性大都在7 ％左右”3 ，我 ( 直径为100 mm的圆片) 硅片，承装硅片的石墨平 们所引进的美国ASM—PLAsMA I I I 型PE