SrTiO3薄膜电致电阻调制机理的研究进展.pdfVIP

· 142 · 材料导报 A：综述篇 2014年 8月(上)第 28卷第 8期 SrTiO3薄膜 电致 电阻调制机理的研究进展 王少敏 ，相文峰 ，赵 昆，赵嵩卿 (中国石油大学(北京)理学院，北京 102249) 摘要 对 SrTiO。材料体 系的电致 电阻效应及其机理进行了系统的介绍；并对 目前公认的3种调制机理：氧空 位电迁移模型、共振隧穿路径开闭模型、位错网络模型进行了详细讨论 出几种机理可能共存于电致 电阻调制过程 的不同阶段 ，找到其中的主导机制将是未来研 究的关键。 关键词 电致电阻效应 钛酸锶(STO) 调制机制 中图分类号：TB321；TP333．5 文献标识码 ：A DOI：10．¨896／j．issn．1005023X．2014．15．027 Research ProgressonResistiveSwitchingM echanismsofSrTiO3ThinFilms WANG Shaomin，XIANG W enfeng，ZHAO Kun，ZHA()Songqing (CollegeofScience，ChinaUniversityofPetroleurn，Beijing102249) Abstract TheresistanceswitchingbehaviorsandresistanceswitchingmechanismsoftheSrTi()。filmsaresys tematicallyreviewed．Threeresistanceswitchingmechanisms：theelectromigrationofoxygen vacancies，theopening andclosingOfresonantelectrontunnelingpaths，andthelocalmodulationsoftheoxygencontentbasingondislocation networks，areintroduced．OneormoreresistanceswitchingmechanismspossiblyCOexistinthedifferentsrages()fre— sistanceswitchingprocess．Therefore，itisthekeyissueforfutureresearchtofindthedominantmechanism ofresis— tanceswitching． Keywords electroresistanceeffect，strontium titanate (ST())，switchingmechanism 属三明治(MIM)结构在偏压变化时发生的电致 电阻效应 】， 0 引言 但这种效应一直没有得到具体 的应用。2000年 ，Iiu等发现 阻变式存储器是一种基于阻值变化来记录及存储信息 PrCa MnO。(PCMO)薄膜具有 良好的电致电阻效应 ，并在 的非挥发性存储器 。非挥发性存储器 由于其高密度、高速度 非挥发性存储器中有着潜在 的应用 j，从而引发丫国内外研 和低功耗等特点成为近年研究热点，被广泛应用于便携式可 究者对各种材料的电致电阻效应研究的热潮 。 目前发现 移动存储器之中。但是随着半导体工艺尺寸的不断等 比例 电致 电阻效应 的材料主要包括 ：二元过渡金属氧化物，如 缩小，特别是集成电路工艺 18nm技术节点的来临，以传统 Si()2[】、 Ni()“、Ti()2E12]等 ；固态电解质 ，如 Ag2S ；钙钛矿 硅基 Flash存储器为代表的市场主流非挥发性存储遇到一系 结构化合物