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A photoluminescence study of plasma reactive ion etching-induced damage in GaN.pdfVIP

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  • 2017-08-20 发布于湖北
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A photoluminescence study of plasma reactive ion etching-induced damage in GaN.pdf

    A photoluminescence study of plasma reactive ion etching-induced damage in GaN.pdf

    Vo1．35NO．11 JournaIofSemiconductors November2014 A photoluminescencestudyofplasmareactiveionetching—induceddamageinGaN z．Mouffak1，-，A．Bensaoula2 andL．Trombetta3 ， lECEDepartmentCaliforniaStateUniversity,FresnoCA 93740，USA ， 2PhysicsandECEDepartmentsUniversityofHouston，TX 77004，USA ， 3ECEDepartmentUniversityofHou

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