CMP工艺参数对TiO2薄膜去除速率的影响.pdfVIP

加工、测量与设备 Processing，MeasurementandEquipment童 CMP工艺参数对 TiO2薄膜去除速率的影响 李彦磊 ，段 波 ，周建伟 ，杨瑞霞 ， 牛新环 (1．河北工业大学 信息工程学院，天津 300401；2．河北工业大学 微 电子研究所 ，天津 300130) 摘要：在 TiO 薄膜化学机械抛光 (CMP)加工过程 中，TiO：薄膜 的材料去除速率 (MRR)非 常重要 。对抛光工艺参数进行 了优化研究，CMP实验采用 自主配制的碱性抛光液对Tio 进行抛 光 ，研 究了抛光压力、抛光液流量、抛光头转速和抛光盘转速对材料去除速率的影响。实验结果 表 明：在抛光压力为 1psi(1psi=6895Pa)、抛光液流量为250mL／min、抛光头转速为87r／ min、抛光盘转速为80r／min的工艺条件下，Tio：薄膜去除速率达到 61．2nm／min，既节约了 成本又保证 了较 高的材