溶液法制程对有机薄膜晶体管性能影响的研究.pdfVIP

《半导体光 电)2014年 8月第 35卷第 4期 石 强 等 ： 溶液法制程对有机薄膜晶体管性能影响的研究 溶液法制程对有机薄膜晶体管性能影响的研究 石 强，谢应涛，蔡述澄，欧阳世宏，：汉铿 (上海交通大学 电子信息与 电气工程学院 光 电材料与器件 中心 ，上海 200240) 摘 要： 基于新型的聚合物绝缘材料和半导体材料，采用溶液法淀涂工艺制作有机薄膜晶体 管 ，通过优化聚合物半导体材料的溶剂、旋涂速度、退火温度等条件 ，提高有机薄膜晶体管的器件性 能。结果表明，不同溶剂溶解半导体对制成的有机薄膜晶体管的迁移率影响明显；半导体层旋涂速 度过慢和退火温度过低都会降低有机薄膜晶体管的性能。当采用 1，：，4一三氯苯(TCB)作为半导 体溶剂，旋涂速度为 3000r／min，后烘温度为 190℃时，有机薄膜晶体 管的迁移率可以达到约 0．5 cm。·V ·S～，亚阈值摆 幅降至约 0．6V／dec，开关比大于 1O 。 关键词 ： 溶液法制程 ；旋涂 ；聚合物 ；有机薄膜晶体管 ；迁移率 中图分类号 ：TN321．5 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2014)04--0617—04 StudyonEffectsofSolutionProcessonPerformanceofOrganicThin-Film Transistors SHIQiang，XIEYingtao，CAIShucheng，OU YANG Shihong，FANG Hankeng (NationalEngineeringLab．forTFr-LCD KeyMaterialsandTechnologies，Departmentof ElectronicEngineering，ShanghaiJiaotongUniversity，Shanghai200240，CHN) Abstract： Based on new polymer insulators and semiconductors， organic thin—film transistors(OTFT)werefabricatedbyusingsolutionprocessofspin—coating．Theperformance ofOTFT wasimprovedbyoptimizingthefabricationparameterssuc}asdifferentsolvents。spin- coatingratesandannealingtemperaturesforpolymersemiconductors．Theresultsillustratethat differentsolventsforpolymersemiconductorshaveanobviouseffem on themobilityofOTFT： bothlOW spin—coatingrateand lOW annealing temperaturewilldecreaseitsperformance．W hen theorganicsemiconductorisdissolvedin1，2，4-trichlrobenzene，spin-coatedat3000r／minand annealedat190℃ ，the0TFT exhibitsadecentmobilityup to ～0．5cm ·V一 ·S_。，asub— thresholdswingdownto～O．6V／decandon—offratiobiggerthanlC。． Keywords： solutionprocess；spin—coating；polymer；OTFT；raobility 0 引言 晶体管拥有巨大的优势。本文基于新型的聚合物绝 缘体和半导体材料 ，采用溶液法制程 ，旋涂 OTFT 有 机 薄 膜 晶 体 管 (Organic Thin-Film 的栅绝缘层和半导体层 ，讨论 了不 同工艺条件对 Transistors，OTF