基于电子束探测技术的VLSI路径延时故障测试方法.pdfVIP

基于电子束探测技术的vLsI路径延时故障测试方法’ 吴齐发孙义和 清华大学微电子学研究所，北京100084 Beam 捅要 电子束探测EB．P(E1ec订on Probe)技术广泛地应用于设计查错、设计验证、失效分析 以及成品率提高等方面．奉文讨论将EB．P技术应用十路径延时故障的测试。本文首先用EB．P的工作原 理和实验结果说明了用EB．P测量路径延时的可行性。随后讨论了一种将EB_P用作测试点的测试点插入 技术．EB-P作为一种仅具可观性的测试点，较之于既可测又可观的测试点同样具有减少需实测路径延时 故障数目，消除不可测路径延时故障的作用。此外，用EB．P作为测试点，还具有不会增加路径的延时、 不用改动电路的物理结构、不会增加芯片面积、不需要多个时钟等优点。本文对此作了举例说明。 随着对vLsI芯片质量的要求越来越高，人们已不只满足于电路没有固定逻辑故障， 而且要求电路在规定的时钟间隔内完成操作。设计错误或制造缺陷都可能使电路达不到时 间要求，因此人们经常要对电路的延时进行测量和诊断。而当Ic进入V】LsI，ULsI领域， 其几何线条精度小于1微米时，用常规的机械式探针已很难对其内部工作状态进行直接而 准确的探测诊断；而电子束探测(EB-P)技术由于其内在的优越性而提供了一种很好的选择。 l EB．P的工作原理 EB．P技术广泛地应用于设计查错、设计验证、失效分析阻及成品率提高等方面。EB— P技术是基于扫描电镜(sEM)的原理和技术发展起来的，是基于聚集的电子束流可用丁- 测量vLsI器件内部节点上的电压波形这一原理上的。较之于常规探测技术，它具有非接 触，非破坏，对被测节点基本上无载，可探测内部，频带较宽等优点。 通常在lc诊断中使用EB-P的两种工作模式： 1．图象模式(hmgeMode) 当电子束对器件表面进行扫描时，由捕获的二次电子数目的变化在监视器上形成r反 形成的静态图象，反映了芯片的结构。延时测量中，可以在该模式下找到所要测量的位置。 2．波形模式(wavef0咖Mode) 这种模式是通过在某一固定探测点“扫描”(实际上是对时间的扫描)而得到动态图象， 也即是电子束聚焦在器件表面某一区域时对此处的电压在时间轴上采样而形成反映该区域 随时间变化的电压波形。其原理类似于取样示波器的工作原理，所以这种工作模式也可称 之为示波器工作模式。在这种模式下可以观察Ic各点的波形变化，测量有关的时间参数。 由于电子束对器件不形成什么负载，因此不会影响测量结果。 EB．P为获取信号波形采取的是取样技术，同时为了提高信噪比采用了积分技术，因此 需要在同一时间点上多次取样，这就要求该信号不断地触发重复。为了缩短信号波形的获 取时间，采用了同一循环内多点取样和流水线技术。其原理如下图(图1．)所示： 测试图形不断重复 ． 触发脉冲厂] 一厂] 测试图形 厂]厂] 一 广]厂_] UUUUUUl — UUUU 多点取样 U】lI 图1．EB—P波形模式]：作原理 基于以上原理，所以虽然EB，P探测仪只有一个“探针”一一组电子束，但却可以在 1 ·“几五“攻关97—760—02_01和同防科技基金98了s03Jwol们资助项日 不同时间对Ic芯片的不同点进行测量，所得波形之差即为两点之间的延时。在这里，触发 信号起到了一种时间标尺的作用(将触发信号起始点作为时间坐标原点)。 2 实验结果 以下是实验结果。本实验对一个vLsl芯片的延时进行了测量。图2．是芯片的局部电 压对比图象。为简明起见，实验选择两个仅在相位上有一定延时，而信号波形完全相同的 两个压焊块进行测量。图3．是用HP82000vLsI测试验证系统对芯片相应两管脚的测量结 果，图4．是电子柬