磁性多层膜Ta%2fNiO%2fNiFe%2fTa界面研究.pdfVIP

磁性多层膜Ta／NiO／NiFe／Ta的界面研究 于广华 腾蛟 韩刚 冯春 北京科技大学材料物理系，北京100083 摘要磁性多层膜Ta／NiO／NiFe／Ta由磁控溅射方法制备。采用角分辨X射线光电子能谱(XPS)研究了反 。∥ =3Ni+．Fe20j，牡反应深度约为1～1．5魄·反应产物将影响Nio对NiFe的交换耦合·本研究还表明角分辨 XPS；曩用来袅征磁性多层膜曩面化擎挟态的一个有利工具， 莫键逾0角善潼x射线光毛子能镥缸NibⅢiFe界面：交换耦合；‘彝l辱反应，界面化学状态 ‘崔鼙近十膊‘、磁性多层膜在磁电阻器件的开发和应用中起劐了非常重要的作用，尤其 ，是自旋阀结构黔基磁电阻多层膜8被用于制作计算机硬盘读头翻高灵敏度磁传感器等器件 fl】。巨磁电阻多层膜每层的厚度只有纳米数量级，所以界面的作用就非常重要。从本质说， 巨磁电阻效应就是一种界面现象，界面结构的任何变化可能对磁性产生较大的影响【zJ。因此， 目前有较多的文献报道巨磁电阻多层膜中界面互扩散及界面化学反应13剖，如Antel等人研 散对奋关磁性的影响。最近，我们在Ta／NiO界面处也发现了‘．．个热力学上有利的化学反应， 、‘并且该反应是影响铁磁／反铁磁簿膜间交换耦合的·个重要因素t，f所有这些界面微结构细 节的研究对于更好地理解巨磁电阻效应机制将具有十分重要的意义． j 曾系统地总结了由实验数据得劐得以上几种交换耦合系统的界面耦合能J和交换耦合场 104A／m： 10-Sj／m2，玩=1．6X 玩：当NiFe厚度fF为4鼬时，NiO／NiFe的界面耦合能g=--gx x NiFeffeMn的J二产1．3r01J^n2，He,=3．4×104A／m：NiFe／NiMn的J套么5×l圹J，l《，Hu=6．9 ×104～『m。：然而按照公式％【盘U^秘一(^磊为磁性层的饱和磁化强度)，’当菇、^瘁不变 时，^kocJ；；那么N．o对NiFe的交换耦合场应该要比风x-1．6’xl舻Mm大的多，而实际 上实验数据仅有1．6×104A／m：为了查明产生这种磁学现象的原因，本文采用磁控溅射方法 技术研究了NiO／NiFe界面的化学状态，发现在该界面处发生了热力学上有利的化学反应， 反应产物作为磁性缺陷存在于NiO／NiFe界面，从而影响了Nio与№Fe间的交换耦合。、 } ‘ 1实验 ． ， 样品在DV-502型磁控溅射仪中制备。在清洗干净的单晶硅(100)基片上沉积了 和防氧化层。本底真空度优于4×10～Pa，溅射时氢气压为0．5Pa；基片用水冷却，平行子基 103 片平面方向加有磁场20xA／m，以诱发出一个易磁化方苘：详细的实验条件可参阅以前 的工作【61。用JDJ9600型振动样品磁强计测量多层膜的磁滞回线f由测出的礁滞囤线可求出 h内送入 NiO对Ni81Fel9的交换耦合场阮。和该薄膜的矫顽力j甄。、梯品制备完毕后在48 MICROLAB MKII型x射线光电子能谱仪中，电子能谱仪分析室真空度优于3×100Pa,X K口(h1)=1486．6 eV。 射线光源A1 eV)，能量分析器的扫描模式为CAE，通过能量为50 V， 深度剖析时离子刻蚀工作条件