氮化镓基激光器研究的论文.pdfVIP

第-I-五届全国化合物半导体．敢波量l件和光电嚣件掌术。分议 氮化镓基激光器研究(邀请报告) 杨辉1，一，张书明1，张立群1，曹青1，朱建军1， 赵德刚1，刘宗顺1，季莲1，陈良惠1 (1．中国科学院半导体研究所，集成光电子学国家重点实验室，北京100083： 2．中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，苏州215123) 摘要：利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响。计算结果说明。脊形高度增加叮以增加限制因子， 降低阈值电流，提高斜率效率，降低远场纵横比。通过测鼍具有不同脊形高度的激光器，证实了脊形高度增加，阈值电流降低、 斜率效率增加．水平方向远场发散角增加。远场纵横比减小。 关键词zGaN：激光器；脊形高度：限制因子；远场 中图分类号：TN2 文献标识码： Thecharacteri sti CSofGaNbasedI aserdi odes China； 2．SuzhouInstitute andNano—bionics,ChineseAcademyofSciences，Suzhou215123,China) ofNano-tech farfield wcre twodimensional Abstract：theinfluenceof onconfinementfactorand waveguide ridgeheight pattern investigatedby simulationresults confinefactor increasewitllthe the simulations．Thc showthatthe and slopeefficiency increasingridgeheight．and the resultsaredemonstrated thresholdcurrentandthe ratiooffarfield decreasewith aspect pattern increasingridgeheight．These by measurementsoflaserdiodeswithdifferent ridgeheight． field Keywords：GaN；laserdiode；ridgeheight；confinementfactor；farpattern； EEACC：4320J l引言 激光器，实验结果验证了这一结论。 自从第一只GaN激光器诞生以来【l】，其 研究已经成为III．V族氮化物材料和器件的2实验 Swan3 研究重点。近年来其激射波长已经扩展到了 使用Thomas x2”close．coupled showerhead 紫外和接近绿光的波段【23】。紫外激光器在 reactor金属有机物化学气相外 生物工艺、医学、制药等领域具有重要的应 延(MOCVD)系统，在C面蓝宝石衬底上 用【4】。波长为405nm的紫光激光器已经在高外延生长激光器结构。以TMGa、TMAI、 密度光存储领域取得了广泛的商业化应用。 蓝光激光器激发荧光粉可以作为白光照明 时使用光学在位监测对生长过程进行控制。 的