硅漂移探测器结构设计初步研究.pdfVIP

2009第二十二届全国空间探测学术讨论会论文 硅漂移探测器结构设计初步研究 吴铁彬，刘真，吴东梅，马盛林，王金延，于民‘ (北京大学微电子学研究院100871) (．E-nmil：yum@ime．plaLedu．m) Drift 摘要：硅漂移探测器(SOD，SiliconDetect00的输出电容很小，只由探测器的收集阳极面 积决定，而与其整个有源区面积无关，故SDD电子学噪声很小，具有很高的性噪比，能量分 辨率很高。由于存在众多优点，硅漂移探测器被广泛应用于x射线探测、天体物理、核医学和 高能物理实验等领域。但是在国内，SDD的研究还很少。本论文分析了环形硅漂移探测器的工 作机制。论文的主要工作是针对性的设计了环形硅漂移探测器的基本芯片结构，对SDD基本 结构进行了模拟仿真分析，研究了SDD基本结构改变衬底浓度、漂移环间距、外加偏压和漂 移环间加N+保护以及改变漂移环宽等结构的设计和仿真，并对这些仿真结果进行了分析讨论 和总结，给出了一些设计SDD芯片器件结构参数的选取建议和方向． 关键词：硅，漂移探测器，器件模拟， 1．引言 Drift 硅漂移探测器(SDD，SiliconDetector)在1983年首先作为单纯的漂移探测器结构由 物理和空间物理研究所的J．Kemmer首先制成了实用的SDD器件【3】。近年来国内也开展了关 于SDD的研究I卅． SDD主要有用于位置探测的条形结构漂移探测器和用于能量分辨的环形结构漂移探测 器两种。其原理示意如图1所示，探测器内部有一横向电场，该电场平行于探测器表面， 这使得辐射所产生的电子可以在该漂移电场作用下平行于表面漂移，然后被收集阳极所收 集，探测器可以有很高的收集效率从而达到非常高的计数率；同时，硅漂移探测器输出电 容很小(一般小于O．1pF)且不依赖于探测器面积，因而电子学噪声一般小于同等面积和厚度 的Si．PIN探测器。正是由于存在上述优点，硅漂移探测器结构的提出对辐射探测器领域的 发展具有极其重要的意义。 n· 口· ●·l-． ■。 p’， p’ 图1．漂移探测器原理示意图 SDD的结构比较复杂，需要进行优化设计。本文开展了SDD器件结构的模拟研究，研 究了SDD基本结构改变衬底浓度、漂移环间距、外加偏压和漂移环间加N斗保护以及改变 漂移环宽等结构的设计和仿真，并对这些仿真结果进行了分析讨论和总结，给出了一些设 计SDD芯片器件结构参数的选取建议和方向。 2009第二}二一届全国空问探测学术讨论会论文 2．器件结构 本文川丁模拟的SDD基本器什结拗船体如F酣所示 图2模拟中所采刷的SDD的器什结构 器竹鲇构中包括了8个漂移环，每个漂移环是掺j}浓度为lO”cITl。的P+型高浓度掺杂， 7}血入射窗口也是同等浓度的P十型高浓度掺杂区．同时日|极是浓度为10‘8an4的N+州高浓 度掺杂．相邻漂移环问采州浓度为10。cm。的P型掺杂的分压电阻条进行分压以便形成横 向漂移电场，体区衬底为杂质掺杂浓度为10”era’的n’口硅衬底，lb阻事相当r4k．q·cm， 采用高电阻率的砘能够使器t}：在较低的l‘作电压F将体区全耗尽。日】极直径为10％m，第 一漂移环与刚极的阃j辑以及相邻漂移环阃隔均山50岬，漂移环宽均为709m，硅片衬底厚 度是300／ira器件从收集阳极到器件边濉跃度为1200,urn，在Ri极附什的第漂移环乖愠外漂 移环分别加反向负偏压VI=dV和vf．100V，通过分压电阻条，可以在中问各个漂移环E 施加上渐变的LH压，背面^射宙u加负偏压v№。k=．50v 3．模拟结果 模拟采州了ISE的商削器件模拟软t|：，模拟中采坩丁常规的物理模型。 幽3显示了横_I《c的SDD的LU势分布。可以看剑．器件中形成了LU势由低到高的梯度分 布。从蚓中的右rf0左上，形成了一个电子的电势“沟道”，电子将被收集在这