宽光谱范围、高响应度的InGaAs%2fInP光电探测器.pdfVIP

下载本文档

22
0
约7.75千字
约 3页
2017-08-20 发布于安徽
举报
版权申诉

宽光谱范围、高响应度的InGaAs%2fInP光电探测器.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第十五届全国化合物半导体、微波器件和光电器件掌术。分议 I-州’08 nGaAs／l 宽光谱范围、高响应度的I nP光电探测器归强裴为华陈弘达 (中国科学院半导体研究所，集成光电了学国家重点实验室，北京100083) 摘要：本文报道了一种适用于0．6¨m～1．65哪波段使用的InGaAs／InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的 InGaAs材料，探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作，通过调整掩模尺寸和控制扩散条件，可以制备出具有不同波段的响应度超过O．8A／W。5V偏压卜的暗电流小于2uA。经过老化测试实验，探测器的寿命可以超过lO万个小时，器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于}H色的t艺稳定性和器件性能的一致性，该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。关键词： InGaArglnP；宽光谱响应；高响应度；平面结构；光电探测器；探测器阵列中图分类号：TN364+．2 文献标识码：B 文章编号： l i i i i I i nGaAs／InP W thh b and ghresponsty photo—detector Wi de—。spectra Chen Gui，WeihuaPei，Hongda Qiang on (StateKeyLaboratoryIntegratedOptoelectronics,InstituteofSemiconductors,CAS,Beijing100083，China) Abstract：Awide Photo—detectorsuitthe of communicationfrom was spectra qualificationoptoelectronic O．61am～1．651amreported．The InP wasfabricatedonInGaAsextendedfrom substrate．111ePINsaucturewas photo-detector producedbyselectivelydiffusing．111is method to characteristicofthe diameterofthesensitive fabricatingprovedfacilityadjustoptoeleetronic PD，forexample，the window,the timeandthe ofthe PDcanachieve0．8A／Watthe from to response packaged wavelength1．0lam1．651ara． responsibility．Theresponsibility 111e at isnotlessthanO．2MⅣ．111edarkcurrentisaslowas2nAundera5Vbias．111elifetimeofthePDCan 0．6pxn～lp．m responsibili