新型γ射线探测器的研制.pdfVIP

全国核仪器应用核探测技术核测量方法学术会议论文集 theChinaConference011NuclearInstrument Detection P10。eed如萨0f App]icstion＆Nuclear Measurement14ethod Technology＆Nuclear 新型丫射线探测器的研制 谢利平1，杜毅2 (济南军区装备部肪化技术室，济南250002中国棱动力研究设计院成都61∞05) 摘要：采用离子注人技术研制的新蛋7射线半导体探测器，经过性能测试其各项技术指标均达到了国内先进水 平，具有体积小巧使用方便的优点，可广瑟用于棱爆或自燕环境中产生x射线、7射钱探澍钮域。 关羹词：离子注入；7射线半导体探谢器 目前传统的方法对于7射线搽测主要用盖 特点在予： 革计数管．整个探测系统包括主机、定标器、前 1)低偏置电压。通过一种低偏压技术，用 置放大器、探头、高压电源组成。体积庞大．可 电池直接供电的3—5V的低偏压探测器．以提 靠性不高，不便于野外使用。我们研究的7射 高便携式仪器整体的可靠性。 线探测器是采用离子注入技术。其基本原理是： 2)宽域工作温度。半导体探测器温度每升 用能量为100keV量级的离子束人射到材料中高7℃时，则噪声增加一倍。采用离子注人技 去，离子柬与材料中的原子或分子将发生一系 术，克服了半导体探测器在低温下探测效果不 列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损 佳的缺点，在一40—4-50气范围内获得相对较 失能量，最后停留在材辩中，并引起材料表面成 好信噪比。 分、结构和性能发生变化。从而优化材料表面性 3)含氯氧化钝化工艺。在半导体探测灵敏 能，或获得某些新的优异性能“】。而半导体探 层周围形成一个保护膜，来隔离各种污染．并降 浏器具有能量响应好、响应时间快、工作寿命 低表面漏电流，提高少数载流子寿命，提高探测 长、稳定性好、结构简单、体积小、重量轻、易于 器的品质。 加工的特点、适用于x射线、7射线的探测”ol。 4)集成化封装设计。将用于稳定输出脉冲 医此本课题采用离子注入技术研制一种一体化 幅度的电荷灵敏放大器与主放大器集成在一个 的半导体核辐射仪，主要用于对核爆后或自然 陶瓷片上．将探测器与读出器集成，将半导体探 环境中产生的7、x射线进行探测。 测器焊接在电荷灵敏放大器上，完成厚膜一体 化过程，提高仪器整体的可靠性和便携性，更适 l新型半导体辐射仪的特点 合在恶劣环境下使用。 离子注人型半导体核辐射仪是利用离子注 对于探测器的使用性能丽言，工作电压、漏 人掺杂法构成P—N结。这种方法制造的半导 电流、反向偏压、能量分辨率是重要的指标。离 体探测器对环境和真空都很稳定，并且可以在 子注入型半导体核辐射仪的各项性能技术指标 高阻硅上得到极薄的窗ol。半导体探测器温度 如下所示： 每升高7℃时。则噪声增加一倍。离子注入式 1)有效面积15—300mo； 2)耗尽层厚度300．500pro； (i∞一implanted)半导体探测器在一40一+50℃ 温度条件下具有较好的信噪比。 3)漏电流0．3—0．8nA(v^=25v)； 始于20世纪70年代研制的平面工艺离子 4)结电容6—110