快速退火法制备β-FeSi2薄膜研究.pdfVIP

快速退火法制备β-FeSi2薄膜的研究 全汝岱 贺欣 蒲红斌 陈治明 西安理工大学自动化学院电子工程系，陕西 西安 710048 摘要：在单晶硅Si(100)衬底上，采用直流磁控溅射FeSi合金靶，并通过后续的快速退火(RTA)的方法制备β-FeSi2薄膜。 主要研究了退火温度以及溅射过程中的衬底温度对薄膜相变的影响。采用X射线衍射(xRD)对制备的样品进行了表征，表明在 900℃下采用快速退火5分钟，样品薄膜完全转化为B-FeSi2相。用近红外分光光度计对900℃下制备的样品的透过率进行了测 定，采用外推法得到薄膜的光学带隙约为0.88eV，进一步验证了得到的薄膜为β-FeSi2薄膜。 关键词：β-FeSi2；磁控溅射；快速退火 Fabricationofβ-FeSi2filmsbyRapidThermalAnnealing RudaiQuanXinHeHongbinPu DepartmentofElectronicEngineering,Xi’anuniversityoftechnology,Xian,710